Neuere Beschaffungen, bei denen der Anbieter PVA TePla AG erwähnt wird
2014-09-04Silicon Carbide Crystal Growth Furnace (Fraunhofer Gesellschaft e. V.)
Silicon Carbide Crystal Growth Furnace:
Das Fraunhofer CSP beabsichtigt, Equipment zur Herstellung von Siliziumcarbid mono-Kristallen zu erwerben. Wesentliche Punkte der geforderten Spezifikation sind: Wachstum von der Gasphase, Temperaturen bis zu 2 300°C, Kristalldurchmesser von 4” mit der Option eines Upgrades der Maschine für Durchmesser bis zu 6” und geringer Energieverbrauch. Eine komplette Liste der geforderten Spezifikation befindet sich in dem entsprechenden Dokument.
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2011-11-18FuE-Kristallisationsanlage (Fraunhofer Gesellschaft e.V.)
Die Kristallisationsanlage ist als FuE-Anlage zur gerichteten Erstarrung von Solar-Silicium in einem Tiegel unter Inertgasatmosphäre mit einem Mehrheizersystem konzipiert. Die Anlage soll dahingehend ausgelegt werden, dass bis zu 30 kg Silicium in Tiegeln aus SiO2 bzw. Si3N4 mit Innenabmessungen von 220 x 220 x 226 mm3 nach dem Vertical Gradient Freeze –Verfahren kristallisiert werden können.
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