Neuere Beschaffungen, bei denen der Anbieter Varian Semiconductor EAE B.V. erwähnt wird
2012-03-01High current Ionenimplanter (Fraunhofer Gesellschaft e.V.)
Die Ionenimplantationsanlage dient zur Herstellung lokaler Dotierungen in Siliciumsolarzellen. Die Implantation von Phosphor und Bor sollte in Dosen zwischen 1e13 und 1e16 cm-2 und mit Energien im Bereich von 1keV bis 80 keV möglich sein. Eine Möglichkeit zur Herstellung lokaler dotierter Strukturen mittels In-Situ Maskierung durch eine Schattenmaske soll gegeben sein. Erfahrungen des Hersteller in der Implantation von Silicium-Solarzellen werden vorausgesetzt.
Ansicht der Beschaffung » Erwähnte Lieferanten:Varian Semiconductor EAE B.V.