Beschaffung einer Sprühätzanlage für das Halbleiterlabor
Sprühätzanlage für 6-8 Zoll Siliziumwafer mit einer Prozesskammer und 4 rezirkulierten Tanks. Verwendet zum strukturierten Ätzen von Aluminium- und Oxidschichten inkl. Lackstrip-Prozess mittels Ozon und heissem DI-Wasser.
Deadline
Die Frist für den Eingang der Angebote war 2011-11-28.
Die Ausschreibung wurde veröffentlicht am 2011-10-12.
Anbieter
Die folgenden Lieferanten werden in Vergabeentscheidungen oder anderen Beschaffungsunterlagen erwähnt:
Wer?
Wie?
Wo?
Geschichte der Beschaffung
| Datum |
Dokument |
| 2011-10-12
|
Auftragsbekanntmachung
|
| 2012-01-18
|
Bekanntmachung über vergebene Aufträge
|