Implantationsanlage zur Dotierung von Halbleitern und anderen Materialien

Fraunhofer Gesellschaft e.V.

Ionenimplantationsanlagen ermöglichen die Implantation einer Vielzahl von Elementen in Festkörper.
Aufgrund der Massenseparation werden nur die gewünschten Ionen mit entsprechendem Ladungszustand implantiert. Implantations-parameter, wie z.B. die Menge der Ionen (Dosis), die Implantationstiefe oder der Implantati-onswinkel können präzise kontrolliert werden. Die gewünschten Eigenschaften des implan-tierten Festkörpers, wie z.B. elektrische Leitfähigkeit, Ladungsträgermobilität, Härte oder dielektrische Eigenschaften sollen auf diese Weise reproduzierbar erreicht werden.
Die Implantationsanlage soll verwendet werden für:
— Dotierung von Silicium,
— Dotierung von Siliciumcarbid,
— Dotierung von weiteren Halbleitern, wie z. B. Germanium oder Galliumnitrid,
— Dotierung dielektrischer Schichten zur Bauelementoptimierung,
— Allgemeine Materialmodifikation.

Deadline
Die Frist für den Eingang der Angebote war 2011-06-06. Die Ausschreibung wurde veröffentlicht am 2011-04-28.

Anbieter
Die folgenden Lieferanten werden in Vergabeentscheidungen oder anderen Beschaffungsunterlagen erwähnt:

• • Axcelis Technologies Inc.

Wer?

• • Fraunhofer Gesellschaft e.V.

Wie?

• • Industrielle Maschinen

Wo?

• • Mittelfranken › Erlangen, Kreisfreie Stadt