Lieferung einer Anlage zur Abscheidung von oxidischen Schichten

Forschungsverbund Berlin e.V.

Anlagensystem zur epitaktischen Abscheidung von halbleitenden oxidischen Schichten des Systems Ga202-In203-Al203 nach dem Metal Organic Chemical Vapour Deposition (MOCVD)-Verfahren auf kristallinen Unterlagen. Mit der geplanten Investition werden auf einkristallinen oxidischen Substraten binäre und ternäre einkristalline oxidischen Schichten mit hoher struktureller Perfektion und geringer Dichte an intrinsischen Defekten abgeschieden. Durch die Substition der Metall-Ionen sollen die Gitterkonstanten der Schichten zielgerichtet verändert und definierte Stresszustände in den Schichten eingestellt werden. Es ist geplant, während der Abscheidung die Schichten so zu dotieren, das sich ein n- oder p-Leitungstyp einstellt. Ein Abscheiden von aufeinander folgenden Schichten mit unterschiedlichem Leitungstyp in einem run ist angestrebt.

Deadline
Die Frist für den Eingang der Angebote war 2011-06-06. Die Ausschreibung wurde veröffentlicht am 2011-05-16.

Anbieter
Die folgenden Lieferanten werden in Vergabeentscheidungen oder anderen Beschaffungsunterlagen erwähnt:
Wer?

Wie?

Wo?

Geschichte der Beschaffung
Datum Dokument
2011-05-16 Auftragsbekanntmachung
2011-10-12 Bekanntmachung über vergebene Aufträge
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