Vakuumkammer mit integrierter Optikeinheit
Für verschiedene Anwendungen werden für laborbasierte Strahlungsquellen extrem ultravioletter Strahlung (XUV-Strahlung) in einem Wellenlängenbereich von 5 nm bis 50 nm untersucht. Alle Anwendungen der XUV-Strahlung müssen auf Grund von Absorption in evakuierten Probenkammern durchgeführt werden (ca. 10E-05 mbar).
Im Rahmen eines Projektes zur Herstellung von periodischen sub-100 nm-Strukturen mittels XUV-Interferenzlithografie wird eine Vakuumkammer mit einer integrierten Optikeinheit benötigt. Die XUV-Lithografieanlage soll es ermöglichen Siliziumwafer mit einem Durchmesser von 100 mm durch eine Transmissionsmaske zu belichten. Es soll dabei sowohl eine Kontaktbelichtung als auch eine Interferenzbelichtung bei verschiedenen Abständen zwischen Transmissionsmaske und Siliziumwafer realisiert werden.
Deadline
Die Frist für den Eingang der Angebote war 2011-04-11.
Die Ausschreibung wurde veröffentlicht am 2011-02-17.
Anbieter
Die folgenden Lieferanten werden in Vergabeentscheidungen oder anderen Beschaffungsunterlagen erwähnt:
Wer?
Wie?
Geschichte der Beschaffung
Datum |
Dokument |
2011-02-17
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Auftragsbekanntmachung
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2011-06-28
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Bekanntmachung über vergebene Aufträge
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