ALD-Anlage
Eine für die Photovoltaik Atomlagenabscheideanlage (Atomic Layer Deposition; ALD) zur Beschichtung von 3D-nanostrukturierten Materialien mit der unter Einwirkung des Precursormaterials Trimethylaluminium in Verbindung mit 1.) Wasser (H2O) und/oder 2.) Ozon (O3) dünne Al2O3 Schichten abgeschieden werden sollen. Unverzichtbar ist dabei eine Reaktorkammer, die eine simultan beidseitige Beschichtung von quadratischen 6“ bzw. runden 8“ Wafern erlaubt.
Deadline
Die Frist für den Eingang der Angebote war 2012-03-01.
Die Ausschreibung wurde veröffentlicht am 2012-01-09.
Anbieter
Die folgenden Lieferanten werden in Vergabeentscheidungen oder anderen Beschaffungsunterlagen erwähnt:
Wer?
Wie?
Wo?
Geschichte der Beschaffung
| Datum |
Dokument |
| 2012-01-09
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Auftragsbekanntmachung
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| 2012-05-10
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Bekanntmachung über vergebene Aufträge
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