Aufdampfanlage
Vakuumanlage zum Aufdampfen von Schichten verschiedener dielektrischer Materialien im Hochvakuum zwecks breitbandiger Ver- oder Entspiegelung von Laserfacetten mit folgenden Spezifikationen:
— Abmessungen:
—— nicht größer als 1 700 x 1 700 mm² (Breite x Tiefe),
— Pumpsystem:
—— Kryopumpensystem,
— Ausstattung der Prozesskammer:
—— Innenmaße mindestens 50 x 50 x 80 cm³,
—— Probengrößen bis zu ganzen 4“-Wafern,
—— Probenheizung o Ionenkanone für Pre-Clean (Argon) und reaktive Aufdampfprozesse,
—— Elektronenstrahlkanone,
— Steuerung:
—— Prozesskontrolle über benutzerfreundliche Software inklusive Data logging,
— Schichtspezifikationen,
—— Homogenität von Einzelschichten besser ± 3 %,
—— Demonstration einer Breitband-Antireflektionsbeschichtung (z.B. auf GaAs-Testwafern) mit einer Restreflektivität von < 0.01 % im.
Wellenlängenbereich von ± 100 cm-1 um eine Zentralwellenlänge von 8.0 μm.
Deadline
Die Frist für den Eingang der Angebote war 2012-07-27.
Die Ausschreibung wurde veröffentlicht am 2012-06-05.
Anbieter
Die folgenden Lieferanten werden in Vergabeentscheidungen oder anderen Beschaffungsunterlagen erwähnt:
Wer?
Wie?
Wo?
Geschichte der Beschaffung
Datum |
Dokument |
2012-06-05
|
Auftragsbekanntmachung
|
2012-09-04
|
Bekanntmachung über vergebene Aufträge
|