DRIE / RIE / PECVD

Fraunhofer Gesellschaft e.V.

Eine Plasmaätzanlge, die so ausgelegt ist, dass sie hauptsächlich den Anforderungen von TSV (Through Silicon Via) – Ätzprozessen für Interposer und hochentwickelte CMOS Anwendungen gerecht werden. Dabei können als Substratmaterialien reine Siliziumsubstrate oder SOI (Silicon-on-Insulator) Verwendung finden. Zusätzlich zum Siliziumätzen (im Folgenden DRIE genannt), benötigt die Anlage dedizierte Leistungsfähigkeit beim Ätzen von Dielektrika wie SiO2, und muss geeignet sein um typische dielektrische Back End of Line.
Schichten hochentwickelter CMOS Schaltungen zu ätzen (im Folgenden RIE genannt). Zusätzlich muss die Anlage geeignet sein um dielektrische Schichten bei niedrigen Temperaturen (<200°C) mit höchstmöglicher Konformität in TSVs abzuscheiden (PECVD). Das DRIE, RIE und CVD Modul müssen in eine Clusteranlage integriert sein. Die Anlage muss dafür ausgelegt sein Wafer mit einem Durchmesser von 200 mm zu prozessieren. Die Anlage muss die spezifizierten Prozessanforderungen auf angemessenen Testsubstraten, wie maskierten oder unmaskierte 200 mm Wafern, erfüllen.

Deadline
Die Frist für den Eingang der Angebote war 2012-09-27. Die Ausschreibung wurde veröffentlicht am 2012-08-28.

Anbieter
Die folgenden Lieferanten werden in Vergabeentscheidungen oder anderen Beschaffungsunterlagen erwähnt:

• • SPTS Technologies Limited

Wer?

• • Fraunhofer Gesellschaft e.V.

Wie?

• • Maschinen für allgemeine und besondere Zwecke › Diverse Maschinen und Geräte für besondere Zwecke

Wo?

• • Deutschland › Berlin