High current Ionenimplanter

Fraunhofer Gesellschaft e.V.

Die Ionenimplantationsanlage dient zur Herstellung lokaler Dotierungen in Siliciumsolarzellen. Die Implantation von Phosphor und Bor sollte in Dosen zwischen 1e13 und 1e16 cm-2 und mit Energien im Bereich von 1keV bis 80 keV möglich sein. Eine Möglichkeit zur Herstellung lokaler dotierter Strukturen mittels In-Situ Maskierung durch eine Schattenmaske soll gegeben sein. Erfahrungen des Hersteller in der Implantation von Silicium-Solarzellen werden vorausgesetzt.

Deadline
Die Frist für den Eingang der Angebote war 2012-04-09. Die Ausschreibung wurde veröffentlicht am 2012-03-01.

Anbieter
Die folgenden Lieferanten werden in Vergabeentscheidungen oder anderen Beschaffungsunterlagen erwähnt:

• • Varian Semiconductor EAE B.V.

Wer?

• • Fraunhofer Gesellschaft e.V.

Wie?

• • Industrielle Maschinen

Wo?

• • Freiburg › Freiburg im Breisgau, Stadtkreis