ICP-Trockenätzanlage
Trockenätzeinrichung für die Herstellung vertikaler Strukturen in Halbleiterschichten, vorrangig Gruppe-III-Nitride, nach dem Inductively Coupled Plasma (ICP)-Verfahren unter Nutzung von chlorhaltigen Gasen für hochstabile und flexible Forschungsanwendungen für mind. 2-Zoll und 4-Zoll-Substrate.
Deadline
Die Frist für den Eingang der Angebote war 2012-02-16.
Die Ausschreibung wurde veröffentlicht am 2012-01-11.
Anbieter
Die folgenden Lieferanten werden in Vergabeentscheidungen oder anderen Beschaffungsunterlagen erwähnt:
Wer?
Wie?
Wo?
Geschichte der Beschaffung
| Datum |
Dokument |
| 2012-01-11
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Auftragsbekanntmachung
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| 2012-04-04
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Bekanntmachung über vergebene Aufträge
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