Mask Aligner für Beugungslithographie
Die vorliegende Spezifikation betrifft die Beschaffung eines Mask-Aligners, der auf die speziellen Anforderungen der Lithographie mit beugenden Photomasken ausgelegt ist. Bei diesem Verfahren enthält die verwendete Photomaske beugungsoptische Strukturen, die erst in einem definierten Abstand zur Maske die gewünschte Intensitätsverteilung zur Belichtung einer Resistschicht erzeugen.
Die Anforderungen an die mechanische Genauigkeit und die optischen Parameter der Maskenbeleuchtung, welche die hochauflösende Beugungslithographie stellt, werden von konventionellen Mask-Alignern nur sehr eingeschränkt erfüllt. Dies betrifft insbesondere die Genauigkeit, mit der die Photomaske zum zu belichtenden Substrat in den drei Raumachsen und der Verkippung justierbar ist. Weiterhin ist die Homogenität der Maskenbeleuchtung in lokaler Intensität und Winkelspektrum kritisch für den Belichtungsprozess. Ohne zusätzliche Maßnahmen führt das in einem Standard-Mask-Aligner zu einer Ortsabhängigkeit des Belichtungsergebnisses.
Auch die Belichtungswellenlänge spielt für die erreichbare Auflösungsgrenze eine wesentliche Rolle. Insofern ist die Option, durch ein alternatives Lichtquellenkonzept auch kürzere Wellenlängen als die typischerweise genutzten Quecksilberlinien (=436nm, 405nm, 365nm) für die Belichtung zugänglich zu machen, für die Beugungslithographie äußerst vorteilhaft.
Deadline
Die Frist für den Eingang der Angebote war 2012-11-12.
Die Ausschreibung wurde veröffentlicht am 2012-09-26.
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Wo?
Geschichte der Beschaffung
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Dokument |
| 2012-09-26
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Auftragsbekanntmachung
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