Metallsputteranlage
Die gesuchte Anlage soll Metalle durch Sputtern geeigneter Targets auf InP-Wafer abscheiden und eine in situ Möglichkeit für eine Vorreinigung besitzen.
Um eine Kontinuität der gegenwärtigen Prozessierung zu gewährleisten, müssen folgende Targets vorhanden sein: Ti, Pt, Au, AuZn, Zn und Cr. Diese müssen nicht gleichzeitig sputtern können, müssen aber jederzeit ohne Targetwechsel verwendet werden können. Um eine gegenseitige Kontamination zu verhindern, ist eine 2-Kammer-Anlage wünschenswert. Eine Kammer sollte davon sollte wenigstens vier Sputterpositionen besitzen, um entweder eine Reinigungsposition zu haben oder die Option auf ein weiteres Metall zu haben.
Die Anlage muss bis zu 3 mal 3 Zoll große Wafer handeln können, wobei die Anforderungen an die Homogenität über diese große Fläche eher gering ist.
Als besondere Anforderung müssen die Wafer liegend prozessiert werden, da es sich teilweise um auf 100 μm gedünnte Wafer handelt. Außerdem muss die Probenposition gekühlt sein, da auch mit Photolack strukturierte Proben besputtert werden sollen.
Deadline
Die Frist für den Eingang der Angebote war 2013-01-07.
Die Ausschreibung wurde veröffentlicht am 2012-11-29.
Wer?
Wie?
Wo?
Geschichte der Beschaffung
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Dokument |
| 2012-11-29
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Auftragsbekanntmachung
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