Vertikalofen für POCi3-Dotierung (Diffusionsofen)
Anlage zur Phosphordotierung von Silicium-Wafern aus einer POCI3-Quelle für Wafer-Durchmesser 100 mm und 150 mm.
Chargengröße: 25 Prozesswafer innerhalb der Spezifikation, kompakte Bauweise, geringe Stellfläche.
Deadline
Die Frist für den Eingang der Angebote war 2012-11-05.
Die Ausschreibung wurde veröffentlicht am 2012-09-17.
Anbieter
Die folgenden Lieferanten werden in Vergabeentscheidungen oder anderen Beschaffungsunterlagen erwähnt:
Wer?
Wie?
Geschichte der Beschaffung
| Datum |
Dokument |
| 2012-09-17
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Auftragsbekanntmachung
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| 2012-12-14
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Bekanntmachung über vergebene Aufträge
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