Wafer Cleaner
Die Reinigungsanlage soll hauptsächlich verwendet werden zur Entfernung von Rückständen und Partikeln nach dem CMP-Prozess. Die Geräteumrüstung sowohl zwischen 300 mm, 200 mm, 150 mm und 100 mm Wafergröße als auch zwischen verschiedenen Prozessen muss mit angemessenem Aufwand möglich sein.
Weiterhin muss die Möglichkeit bestehen, Wafer mit einer Dicke von 300 μm bis 2 000 μm zu prozessieren und ebenso ultradünne Wafer, welche temporär auf Trägerwafer derartig gebondet sind, dass die gedünnte Waferrückseite zur Reinigung frei liegt. Die Anlage ist ausgerüstet mit Bürsten-DI-Wasserreinigung, Ultraschall-DI-Wasserreinigung, HD-DI-Wasserreinigung, Dispensierung von Reinigungslösung 1 und 2, Abschleudern und Trocknen mit Stickstoff-Unterstützung, ein Mikroprozessor kontrolliertes Einzelsystem mit manueller Be- und Entladung einzelner Wafer.
Deadline
Die Frist für den Eingang der Angebote war 2012-11-12.
Die Ausschreibung wurde veröffentlicht am 2012-09-27.
Anbieter
Die folgenden Lieferanten werden in Vergabeentscheidungen oder anderen Beschaffungsunterlagen erwähnt:
Wer?
Wie?
Wo?
Geschichte der Beschaffung
| Datum |
Dokument |
| 2012-09-27
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Auftragsbekanntmachung
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| 2012-12-20
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Bekanntmachung über vergebene Aufträge
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