4 Rohr horizontal Diffusionsofen

Fraunhofer Gesellschaft e. V.

Eine Diffusionsofen-Anlage muss den Anforderungen einer elektrischen Isolation von TSVs für Interposer und hochentwickelte CMOS Schaltungen genügen. Dabei können als Substratmaterialien reine Siliziumsubstrate oder SOI (Silicon-on-Insulator) oder gedünnte Substrate dieser Art verwendet werden. Das Diffusions System, das verwendet werden soll um hochkonforme dielektrische Schichten auf Silizium- und SOI Wafer abzuscheiden, soll Passivierungsschichten (Siliziumoxid, Siliziumoxynitrid, Silziumnitrid) auf Substraten ohne signifikante Topographie abscheiden. Die Anlage muss in der Lage sein Si Wafer und SOI Wafer in Standarddicke sowie als gedünnte Substrate zu handhaben. Die LPCVD Prozesse müssen eine hohe Uniformität über den Wafer und eine hohe Wiederholbarkeit innerhalb einer Charge und zwischen mehreren Chargen aufweisen. Dies muss unabhängig vom Schichtenaufbau oder der Strukturdichte auch hinsichtlich einer gewissen Verteilung der Strukturprofile und kritischen Dimenisonen (CD) gewährleistet sein. Die Anlage soll Wafer mit einem Durchmesser von 100, 150 und 200 mm bearbeiten. Die Anlage soll ausgelegt sein um Siliziumwafer in Standarddicke oder gedünnt (0,2mm) zu bearbeiten ohne, dass manuelle Handhabung notwendig wird.

Deadline
Die Frist für den Eingang der Angebote war 2013-11-13. Die Ausschreibung wurde veröffentlicht am 2013-10-14.

Wer?

• • Fraunhofer Gesellschaft e. V.

Wie?

• • Maschinen für allgemeine und besondere Zwecke › Diverse Maschinen und Geräte für besondere Zwecke