Magnetron-Sputteranlage
Gefordert ist eine vielseitige FuE-Magnetron-Sputteranlage zur Herstellung von Dünnschichten (oxidische Isolatoren, Halbleiter, Leiter; Metalle) auf Substraten mit einem maximalen Durchmesser von 4 Zoll. Die Anlage ist mit einem kühlbaren und beheizbaren Substrathalter, programmiert rotierbar bis 40 U/min, mit der Möglichkeit eine zusätzliche RF/DC Spannung anzulegen, ausgestattet. Die Vielzahl herzustellender Materialien wird erreicht durch 8 Sputterquellen in konfokaler Bauweise, die ohne Vakuumunterbrechung geschwenkt werden können. 3 DC-, 1 gepulste DC, sowie 3 RF-Generatoren ermöglichen alle gängigen Verfahrensweisen der Sputter-Dünnfilmabscheidung, inkl. Co-Sputtern.
Deadline
Die Frist für den Eingang der Angebote war 2013-03-20.
Die Ausschreibung wurde veröffentlicht am 2013-02-01.
Anbieter
Die folgenden Lieferanten werden in Vergabeentscheidungen oder anderen Beschaffungsunterlagen erwähnt:
Wer?
Wie?
Geschichte der Beschaffung
Datum |
Dokument |
2013-02-01
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Auftragsbekanntmachung
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2014-09-03
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Bekanntmachung über vergebene Aufträge
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