System zur Oxidation und zur Ausheilung von Defekten auf Halbleitermaterial SIC

Fraunhofer Gesellschaft e. V.

System zur Ocidation und zur Ausheilung von Defekten auf Halbleitermaterial SIC:
Im Bereich Forschung und Entwicklung von leistungselektronischen Bauelementen, insbesondere für sehr hohe Spannungen und Leistungen, ist ein Heizschritt bis 1500°C in oxidierender Atmosphäre zur Reduzierung auf dem Halbleitermaterial Siliciumcarbid (SiC) von Defekten in Epitaxieschichten und im SiC-Substrat sehr vielversprechend. Dadurch können Kohlenstoffleerstellen im Gitter der Epitaxieschichten und des Grundmaterials deutlich reduziert und damit die Leitfähigkeit erhöht und effektiver moduliert werden.
Da SiC fast ausschließlich in der Leistungselektronik eingesetzt wird, benötigt man thermisch gewachsene Oxiddicken im Bereich von 30 bis 80nm. Da aber die Oxidationsrate vor allem in N2O oder NO relativ gering ist, benötigt man auch hierzu hohe Temperaturen und lange Oxidationszeiten, um solche Oxide herstellen zu können. Für die Oxidation in NO muss der Ofen hermetisch abgedichtet sein, da sonst toxisches NO in die Umwelt gelangen könnte.
Für unsere Anwendungen benötigen wir daher ein Ofensystem zur Oxidation und zur Diffusion in Sauerstoffatmosphäre von mindestens 25 Stück Siliciumcarbidscheiben mit Durchmessern bis 150mm. Da wir vor allem in der Forschung tätig sind, müssen Unterschiedlichste Herstellungs- und Oxidationsverfahren in ein und demselben System durchführbar sein. Daher ist eine hohe Flexibilität gefordert.
Ein weiterer bedeutender Faktor, besonders in der Forschung, ist die Flexibilität beim Handling von Siliciumcarbid-Scheiben unterschiedlicher Durchmesser. So sollen kleinere Stücke oder Scheiben von 3“ bis 150mm prozessiert werden können. Deshalb soll ein einfacher und schneller Tausch der Boote möglich sein. Scheibendurchsatz ist dagegen nicht von übergeordneter Bedeutung. Handbeladung ist daher ausreichend.

Deadline
Die Frist für den Eingang der Angebote war 2013-08-26. Die Ausschreibung wurde veröffentlicht am 2013-07-11.

Wer?

Wie?

Geschichte der Beschaffung
Datum Dokument
2013-07-11 Auftragsbekanntmachung