Ultrahochvakuum-Sputteranlage mit konfokaler Depositionsgeometrie
Für die Herstellung von ultradünnen komplexen Legierungsschichten wird eine UHV-Sputteranlage benötigt, die das Co-Sputtern von bis zu vier verschiedenen Materialien in konfokaler Geometrie ermöglicht. Die Sputterquellen müssen sowohl für DC- als auch RF- Betrieb geeignet sein. Das Substrat muss während der Abscheidung auf bis zu 1 000 °C geheizt und kontinuierlich rotiert werden können. Es ist ein Substratshutter vorzusehen. Jede Quelle muss mit eigenem Shutter und eigener Gasversorgung ausgestattet sein.
Die Quellen müssen von außen zu verkippen sein, um verschiedene Abstände zwischen dem Substrat und den Quellen unter Einhaltung einer konfokalen Geometrie realisieren zu können.
Die Quellen sind unterhalb der Probe anzuordnen. Der Wechsel der Sputtertargets muss ohne Ausbau der Quelle möglich sein. Die Prozesssteuerung muss komplett automatisiert sein.
Das System ist mit einer Probenladestation (Loadlock) auszustatten, damit zum Wechsel der Proben die Sputterkammer nicht belüftet werden muss. Der Probentransfer vom Loadlock in die Sputterkammer und zurück kann manuell erfolgen. Alle Komponenten sind so auszulegen, dass die Anlage bis ca. 150 °C ausgeheizt werden kann.
Deadline
Die Frist für den Eingang der Angebote war 2013-11-12.
Die Ausschreibung wurde veröffentlicht am 2013-09-19.
Anbieter
Die folgenden Lieferanten werden in Vergabeentscheidungen oder anderen Beschaffungsunterlagen erwähnt:
Wer?
Wie?
Wo?
Geschichte der Beschaffung
| Datum |
Dokument |
| 2013-09-19
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Auftragsbekanntmachung
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| 2014-02-11
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Bekanntmachung über vergebene Aufträge
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