Vakuum CVD Anlage

Fraunhofer Gesellschaft e.V.

Zur Bearbeitung von verschiedenen Entwicklungsprojekten soll eine Vakuum CVD zur Abscheidung von Silizium bzw. Silizium-Oxidschichten beschafft werden. Die Schichtabscheidung sollte einerseits mit einer Plasmaanregung (Plasma CVD) and andererseits über das geheizte Substrat (thermische CVD) erfolgen. Ein Anlagenkonzept als sogenannte Batchanlage (ohne Substrateinschleusung) ist ausreichend. Die minimalen Substratabmessungen betragen 200 mm x 300 mm bei einer maximalen Substratdicke bis 10 mm. Die Homogenitätsabweichungen der Schichtabscheidung sollten maximal 4 % der mittleren Schichtdicke betragen (für Plasma und thermische CVD). Folgende Hauptanlagenkomponenten sollten Bestandteil der Ausschreibung sein:
— Prozesskammer mit Substrat Träger,
— Plasmaquelle bzw. Substratheizung,
— Vakuumsystem,
— Gasversorgung,
— Anlagensteuerung.

Deadline
Die Frist für den Eingang der Angebote war 2013-05-02. Die Ausschreibung wurde veröffentlicht am 2013-03-19.

Wer?

• • Fraunhofer Gesellschaft e.V.

Wie?

• • Maschinen für allgemeine und besondere Zwecke › Diverse Maschinen und Geräte für besondere Zwecke

Wo?

• • Sachsen › Dresden