Niederenergie-Hochstrom-Implantationsanlage
Gefordert ist eine Forschungs- und Entwicklungs-Niederenergie-Hochstrom-Implantationsanlage für den Energiebereich 20-200 keV mit einem Ionenstrom bis 1 mA für die Implantation in Substrate mit einem Durchmesser bis 15 cm. Die Anlage muss die Implantation sowohl Gas- als auch ausgewählter Metallionen einschließlich ihrer Isotope im Massenbereich von 1-250 amu ermöglichen. Der Gas-Ionenstrom muss zwingend größer 1 mA sein.
Deadline
Die Frist für den Eingang der Angebote war 2014-03-31.
Die Ausschreibung wurde veröffentlicht am 2014-02-12.
Anbieter
Die folgenden Lieferanten werden in Vergabeentscheidungen oder anderen Beschaffungsunterlagen erwähnt:
Wer?
Wie?
Geschichte der Beschaffung
| Datum |
Dokument |
| 2014-02-12
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Auftragsbekanntmachung
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| 2014-06-04
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Bekanntmachung über vergebene Aufträge
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