Plasma enhanced CVD und ICP-RIE-Anlage
Gegenstand dieser Ausschreibung ist die schlüsselfertige Errichtung einer Plasma-enhanced chemical vapor deposition (CVD) und inductively coupled plasma-reactive ion etching (ICP-RIE)-Anlage, mit der Materialien sowohl abgeschieden als auch geätzt werden können. Eine detaillierte Leistungsbeschreibung finden Sie in Kapitel 5 dieser Unterlage.
Deadline
Die Frist für den Eingang der Angebote war 2014-10-27.
Die Ausschreibung wurde veröffentlicht am 2014-09-10.
Wer?
Wie?
Geschichte der Beschaffung
| Datum |
Dokument |
| 2014-09-10
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Auftragsbekanntmachung
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