SI-Dünnfilmbeschichtungsanlage
SI-Dünnfilmbeschichtungsanlage.
Es soll eine Zweikammer-Sputteranlage beschafft werden. Zu den geforderten Funktionen des Equipments gehört die Abscheidung metallischer Gläser von Legierungstargets sowie die Abscheidung nanoskalierter (Multi-)Schichtsysteme auf unterschiedlichen Substraten der Mikrosystemtechnik und Mechatronik. Mit der Anlage sollen in 2 getrennten Prozesskammern Metalle, Metalllegierungen, Keramiken, Oxide und andere Halbleiter typische Materialen abgeschieden werden. Die Sputteranlage soll in der Lage sein, neben Metalllegierungen in einem Co-Sputterprozess auch ternäre Multilagensysteme (mehr als 75 Einzellagen) der vorangehend genannten Materialien als homogene Schichten bei definierten Substrattemperaturen auf einer Substratgröße von bis zu 8 Zoll Durchmesser in-situ abzuscheiden. Die Temperierung der Substrate mit aktiver Kühlung in einer Prozesskammer und einem beheizbaren Chuck in der anderen Prozesskammer ist neben der Verfügbarkeit von RF- und DC-Sputterquellen ein wesentlicher Bestandteil des Gesamtsystems. Die Sputteranlage soll darüber hinaus mit einem automatischen Handlersystem ausgerüstet sein, um die Wafer in-situ zwischen den Prozesskammern und der Ladekammer zu transferieren. Da der Stellplatz der Anlage im Reinraum begrenzt ist, sollte für alle Komponenten eine Stellfläche von 5 500 x 3 000 mm² bei einer Maximalhöhe von 2,50 m mit Raum für die Bedienung des Systems nicht überschreiten. Eine Auflistung der Anforderungen an die Sputteranlage ist der Ausschreibung zu entnehmen.
Deadline
Die Frist für den Eingang der Angebote war 2014-11-03.
Die Ausschreibung wurde veröffentlicht am 2014-10-02.
Anbieter
Die folgenden Lieferanten werden in Vergabeentscheidungen oder anderen Beschaffungsunterlagen erwähnt:
Wer?
Wie?
Geschichte der Beschaffung
| Datum |
Dokument |
| 2014-10-02
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Auftragsbekanntmachung
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| 2015-05-13
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Bekanntmachung über vergebene Aufträge
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