Silicon Carbide Crystal Growth Furnace
Silicon Carbide Crystal Growth Furnace:
Das Fraunhofer CSP beabsichtigt, Equipment zur Herstellung von Siliziumcarbid mono-Kristallen zu erwerben. Wesentliche Punkte der geforderten Spezifikation sind: Wachstum von der Gasphase, Temperaturen bis zu 2 300°C, Kristalldurchmesser von 4” mit der Option eines Upgrades der Maschine für Durchmesser bis zu 6” und geringer Energieverbrauch. Eine komplette Liste der geforderten Spezifikation befindet sich in dem entsprechenden Dokument.
Deadline
Die Frist für den Eingang der Angebote war 2014-10-20.
Die Ausschreibung wurde veröffentlicht am 2014-09-04.
Anbieter
Die folgenden Lieferanten werden in Vergabeentscheidungen oder anderen Beschaffungsunterlagen erwähnt:
Wer?
Wie?
Wo?
Geschichte der Beschaffung
| Datum |
Dokument |
| 2014-09-04
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Auftragsbekanntmachung
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| 2014-09-09
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Ergänzende Angaben
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| 2014-11-26
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Bekanntmachung über vergebene Aufträge
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| 2014-12-01
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Ergänzende Angaben
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