200mm Sputter-Cluster-Tool

Fraunhofer Gesellschaft e. V.

Beschaffung Sputter-Clusteranlage (IPMS-Budget-Titel: BEoL.PVD_.01)
Beschreibung:
Die Anlage(n) muss 5 bis 6 Prozesskammern für die Materialien Ti/TiN, (Al), AlSiCu (Gruppe 1) und AlSiTi, TiAl, Al2O3 (Gruppe 2) bieten. Die Anlage ist für den Einsatz in der Halbleiter-MEMS-Fertigung von 200 mm Si-Substraten in einem ISO 4 CMOS-Reinraum zur Herstellung von Leitbahnen, Diffusionsbarrieren und Oberflächen-MEMS-Strukturen vorgesehen.
— Aufbau
o 3 Konfigurationen können angeboten werden, in der Reihenfolge absteigender Präferenz:
a. ein Mainframe mit 6 Prozesskammern
b. zwei Mainframes für jede Material-Gruppe mit je 3 Prozesskammern
c. ein Mainframe mit 5 Prozesskammern ohne dedizierte Al-Kammer
o Jeder Mainframe muss folgende Merkmale aufweisen:
Robotersystem, dass den frei programmierbaren Transfer der Wafer von den Eingabestationen durch sämtliche Kammern in beliebiger Reihenfolge gewährleistet.
2 Eingabestationen für standard Kunststoff-Kassettten.
Eine Möglichkeit zum Ausheizen (min. 200°C) und Ar-Plasma Vorreinigung der Wafer.
Eine Möglichkeit zur Kühlung der Substrate zwischen den Prouess-Schritten bzw. vor dem Rücktransport in die Kassette.
o 3 Prozess-Kammern müssen auf mind. 200°C beheizbar sein.
o Zumindest die Ti/TiN-Kammer muss die Möglichkeit bieten mit Substrat-Bias abzuscheiden.
o Mindestens eine Kammer (vorzugsweise alle) muss die Möglichkeit zur Prozessdruckkontrolle über eine PID-gesteuerte Drosselklappe bieten.
o Bei allen Prozesskammern lässt sich der Target-Substrat-Abstand rezeptgesteuert variieren.
o Alle Kammern sind mit Shutter versehen, um das Target ohne Dummy-Wafer einsputtern zu können. Wenn nicht alle Kammern mit Shutter versehen werden können, muss es die Möglichkeit geben mindestens 5 Dummy-Wafer unabhängig von der Eingabestation am Mainframe bereitzustellen.
o Alle Prozesskammern sind mit Ar als Prozessgas versehen, eine Kammer zusätzlich mit Sauerstoff und Stickstoff, weitere 2 Kammern jeweils nur mit Sauerstoff bzw. Stickstoff.
— Eigenschaften
o Die Anlage ist nach dem aktuellen Stand der Technik aufgebaut und mit allen notwendigen Einrichtungen versehen, um qualitativ hochwertige, homogene Schichten (< 1 % 15mm Randausschluss) mit sehr niedriger Defektdichte zu erzeugen.
o Das abgeschiedene Al2O3 wird als optische Vergütung der MEMS Bauelemente verwendet und darf keine Absorption bei Bestrahlung mit Licht der Wellenlänge 190 nm aufweisen.
o Der Steuerungsrechner erlaubt ein komfortables Rezept-Management, die zeitaufgelöste Aufzeichnung aller relevanter Prozess-Daten, einen Remote-Zugriff über TCP/IP und verfügt über eine dokumentierte Kommunikationsschnittstelle zur Kontrolle über eine Fertigungssteuerungssoftware (MES).
o Die Anlage verfügt über alle notwendigen Sicherheitseinrichtungen und eine CE Zertifizierung.
— Sonstiges
Während der Angebotsphase innerhalb der Ausschreibung werden an ausgewählte Bewerber Wafer für Demo-Zwecke verschickt. Die maximalen Kosten für den Demo-Lauf übernimmt das Institut IPMS nur in Höhe bis 3.000 Euro gegen Nachweis.
Die Details für die Demos werden mit der ausführlichen Spezifikation bekannt gegeben.

Deadline
Die Frist für den Eingang der Angebote war 2015-04-15. Die Ausschreibung wurde veröffentlicht am 2015-03-31.

Anbieter
Die folgenden Lieferanten werden in Vergabeentscheidungen oder anderen Beschaffungsunterlagen erwähnt:

• • Von Ardenne GmbH

Wer?

• • Fraunhofer Gesellschaft e. V.

Wie?

• • Maschinen für allgemeine und besondere Zwecke › Diverse Maschinen und Geräte für besondere Zwecke

Wo?

• • Sachsen › Dresden