Anlage zum kombinierten Umformen und Bonden von Wafer
Die zu beschaffende Anlage soll fähig sein, ein oder mehrere handelsübliche Glas- und Siliziumwafer mit einem Durchmesser von bis zu 200 mm bzw. Substrate mit vergleichbaren Abmaßen unter hoher Temperatur und unter hohem Druck umzuformen und aneinander zu pressen. Die Prozesstemperatur soll dabei bis zu 900 °C betragen können während eine maximale Presskraft von 50 kN erreichbar sein sollte. Zur Gewährleistung der erforderlichen Prozessatmosphäre soll die Prozesskammer evakuierbar sein und mit Stickstoff gefüllt werden können. Ein erreichbarer Enddruck des Vakuums von 1e-3 mbar ist dabei wünschenswert. Die Anlage soll eine flexible Prozessauslegung ermöglichen und mittels einer bedienerfreundlichen Benutzeroberfläche bedienbar sein. Alle Voraussetzungen für einen autarken Betrieb (unter Bereitstellung von Betriebsmedien durch den Bediener), sowie Schulung, Lieferung und Verpackung sollen im Angebot enthalten sein.
Deadline
Die Frist für den Eingang der Angebote war 2015-10-12.
Die Ausschreibung wurde veröffentlicht am 2015-08-27.
Anbieter
Die folgenden Lieferanten werden in Vergabeentscheidungen oder anderen Beschaffungsunterlagen erwähnt:
Wer?
Wie?
Geschichte der Beschaffung
| Datum |
Dokument |
| 2015-08-27
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Auftragsbekanntmachung
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| 2015-12-02
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Bekanntmachung über vergebene Aufträge
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