Chemisch-Mechanisches Poliersystem (CMP3)

Fraunhofer Gesellschaft e. V.

Das chemisch-mechanische Poliersystem soll die Oberflächenbearbeitung von Dünnfilm-Schichten (Oxide, Poly-Silizium, amorphes Silizium) auf 200-mm-Wafern ermöglichen. Zur Prozessierung sind des Weiteren integrierte optische und elektrische Baugruppen sowie eine integrierte Reinigungsstation erforderlich.
1. Baugruppen:
— Min. 2 Ein-/Ausgabe-Stationen (Load ports) und automatisches Handling-System für 200 mm Wafer gem. SEMI-Standard;
— Multi-Polier-Platen Architektur und Mehrzonen-kontrollierte Polierköpfe;
— Dry-In/Dry-Out-Konzept durch integrierte Reinigungsstation (Cleaner) mit physikalischer (PVA-Rollen, Megasonic) und chemischer Reinigung für hydrophile und hydrophobe Oberflächen sowie Wafertrocknung;
— Integrierte Messtechnik für Endpunkt-Erkennung (Kontrolle über Motorstrom und optische Kontrolle und/oder andere Verfahren);
— Integrierte Messtechnik (NOVA®) zur kontinuierlichen Wafer-zu-Wafer-Prozesskontrolle für kritischen Schichten mit hohen Anforderungen an Prozessfenster durch unmittelbare Bestimmung der Schichtdicke vor und nach dem Polieren jedes Wafers;
— Geschlossenes Slurry-System mit Flow-Controller, Möglichkeit der DI-Wasserspülung und programmierbaren Durchflußmengen;
— Für die spezifizierte Anlage gültige und lizensierte Software (OS: Windows XP oder neuer);
— SECS-GEM-Schnittstelle mit Remote-Zugriff und Möglichkeit der Steuerung über eine Fertigungssteuerungssoftware (MES).
2. Weitere Anforderungen:
— Frei programmierbare Polierrezepte für Mehrstufenprozesse oder parallele Prozesse;
— Möglichkeit der Niedrig-Andruck-Planarisierung für low k-Materialien und Highspeed Polieren;
— Möglichkeit der In-situ Konditionierung der Polier-Pads und Niedrig-Andruck-Konditionieren;
— Flexible Hinterlegung von Prozess-Sequenzen in Steuersoftware (z.B. Messen und/oder Reinigen ohne CMP);
— Polier-Platen:
Drehzahl: 10 – 100 rpm; Drehzahl-Rampe programmierbar
Platen-Temperatur kontrollierbar (10-50 °C)
— Mehr-Zonen-Polier-Köpfe:
Drehzahl: 10-100 rpm; Drehzahl-Rampe programmierbar
Zonen-Druck: 0,5-6 psi;
Retaining-Ring-Druck: 1-15 psi
— Pad-Konditionierer:
Drehzahl: 10-100 rpm; Drehzahl-Rampe programmierbar
Druck: 1-10 lbf
— Slurry-Versorgung:
50-500 ml/min; 3 Slurry-Lines mit Rezirkulation anschließbar (min. 2 Slurry-Lines je Polierteller) + DI-Wasser
— Maschinenzustandsmeldung über optische und akustische Signale, alle notwendigen Sicherheitseinrichtungen vorhanden
Gebrauchte und refurbished Anlagen werden auch akzeptiert.

Deadline
Die Frist für den Eingang der Angebote war 2016-01-07. Die Ausschreibung wurde veröffentlicht am 2015-11-24.

Anbieter
Die folgenden Lieferanten werden in Vergabeentscheidungen oder anderen Beschaffungsunterlagen erwähnt:
Wer?

Wie?

Wo?

Geschichte der Beschaffung
Datum Dokument
2015-11-24 Auftragsbekanntmachung
2016-05-17 Bekanntmachung über vergebene Aufträge