E_066_233493 cl-Ols – Ionenstrahlätzanlage IBF / RIBE
E_066_233493 cl-Ols – Ionenstrahlätzanlage IBF / RIBE
Es wird eine Ionenstrahlätzanlage für die physikalische Formkorrektur (Ion Beam Figuring – IBF) optischer Oberflächen und die reaktive Mikrostrukturierung (reactive ion beam etching – RIBE) von Kieselglassubstraten mit Abmessungen bis 340mm Durchmesser benötigt. Dazu soll die Anlage mit einer Ionenstrahlquelle zum physikalischen Ätzen mit fokussiertem Ionenstrahl und einer zweiten reaktiven Breitstrahl-Ionenquelle ausgerüstet sein.
Die Formkorrektur optischer Oberflächen ist mit dem fokussierten Ionenstrahl vorgesehen, mit dem die Oberfläche abgescannt wird. Der lokale Abtrag erfolgt dabei über eine Verweilzeitsteuerung. Die Anlagensoftware muss in der Lage sein, interferometrische Messdaten der zu korrigierenden Oberfläche für die Berechnung der Verweilzeit zu verarbeiten und daraus die resultierende Prozesssteuerung rezeptgestützt vorzunehmen. Ziel ist u.a. die Korrektur von Plansubstraten für die Lithographie (Mask-Blanks aus Kieselglas) auf Formfehler <20nm PV in maximal zwei Korrekturdurchläufen.
Mit der reaktiven Breitstrahlquelle soll die Bearbeitung dicker Kieselglassubstrate (z.B. Prismen) mit maximalen Abmessungen von bis zu 150mm x 150mm x 150mm durchgeführt werden. Insbesondere ist eine Übertragung lithographisch erzeugter Chrom-Maskenstrukturen in das Kieselglas vorgesehen. Hierbei soll eine Selektivität des Ätzabtrags zwischen Kieselglas und Chrom von >15:1 erreicht werden. Um die geforderte Homogenität des Ätzabtrags zu gewährleisten ist eine Relativbewegung zwischen Substrat und Ionenstrahlquelle möglich.
Die Anlage muss mit einer Beladungsschleuse ausgerüstet sein, die das Schleusen von Substraten mit Abmessungen von bis zu 340mm Durchmesser, rechteckig 230mm x 230mm und 292mm x 150mm und jeweils 25mm Dicke bzw. 150mm x 150mm x 150mm ohne Unterbrechung des Vakuums in der Prozesskammer zulässt.
Die Lieferung umfasst Rezepte für die Formkorrektur optischer Elemente und das reaktive Ätzen von Kieselglas mit der vereinbarten Qualität.
Die Probenschleuse der Anlage muss in einem Reinraum der ISO Klasse 2 installiert werden. Die Vakuumkammer ist im Nachbarraum (Durch-Wandmontage) aufzustellen. Abgase sind in ein vorhandenes Abgasreinigungssystem zu integrieren.
Die benötigte Anlagen- und Prozesstechnologie ist auf spezielle Anforderungen des „Center for Advanced Micro- and Nano Optics“ des Fraunhofer IOF angepasst und weicht daher von Standardkonfigurationen am Markt erhältlicher Ionenstrahlätzanlagen ab. Aus diesem Grund ist ein Nachweis der geforderten Funktionalität zur Ionenstrahlkorrektur und zum reaktiven Strahlätzen gegen eine Chrom-Maske entsprechend der spezifizierten Prozesse zwingend erforderlich. Dieser Nachweis kann durch Testbearbeitungen oder durch Referenzen zu bereits realisierten Anlagen erbracht werden.
Deadline
Die Frist für den Eingang der Angebote war 2016-01-28.
Die Ausschreibung wurde veröffentlicht am 2015-12-21.
Anbieter
Die folgenden Lieferanten werden in Vergabeentscheidungen oder anderen Beschaffungsunterlagen erwähnt:
Wer?
Wie?
Wo?
Geschichte der Beschaffung
| Datum |
Dokument |
| 2015-12-21
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Auftragsbekanntmachung
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| 2016-08-02
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Bekanntmachung über vergebene Aufträge
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