Gasquellen Molekularstrahepitaxianlage

Fraunhofer Gesellschaft e. V.

Gasquellen Molekularstrahepitaxianlage:
Das Fraunhofer HHI stellt hochleistungsfähige opto-elektronische Halbleiterbauelemente auf Basis auf InP Substrat gitterangepasster Materialsysteme her. Hierbei bilden unteranderem quaternäre Kompositionen wie InGaAlAs oder InGaAsP eine wichtige Grundlage für komplizierte Bauelement-Heterostrukturen. Speziell für die letztgenannte quaternäre Materialkomposition ist ein Wachstumssystem mit Gasquellen für AsH3 und PH3 für die Gruppe-V Elemente die Methode der Wahl. Daher plant das Fraunhofer HHI die Anschaffung einer Gasquellen Molekularstrahlepitaxieanlage (engl. gas source molecular beam epitaxy, GSMBE). Die grundlegenden Anforderungen an solch eine GSMBE Anlage sind im Folgenden aufgeführt:
Das GSMBE System muss in der Lage sein hochgradig homogenes Wachstum auf Wafern mit Größen von bis zu 1x4 Zoll zu ermöglichen, sowie zusätzlich auf 1x3 Zoll und 3x2 Zoll Waferkonfigurationen. Das System muss aus einer Wachstumskammer mit mindestens 12 Zellflanschen für Verdampfer- und /oder Gasquellen bestehen. Die Wachstumskammer muss über LN2 gekühlte Kryopanele verfügen welche den Platenmanipulator sowie das Epitaxievolumen umschließen. Weiterhin muss das System über eine separate Präparations- und Aufbewahrungskammer sowie über eine separate Ladekammer verfügen, um das Einschleusen von Wafern in das Ultrahochvakuumsystem zu ermöglichen.
Die Quellen für die Gruppe III Komponenten sollen als Verdampferzellen für elementare Feststoffe ausgeführt sein. Für die Gruppe-V Komponenten sollen Gas-Zerlegungsquellen für AsH3 und PH3 dienen, welche über jeweils eine Baratronsteuerung pro Zuflusslinie verfügen.
Neben der Epitaxiekonfiguration soll das System zusätzlich über folgende in-situ Messtechnik verfügen: Ein RHEED Messsystem mit CCD Kamera und Computeraufzeichnung, ein Hintergrundgas-Massenspektrometer (residual gas analyzer), Druckmessgeräte für alle Kammern, ein beheiztes Pyrometriefenster sowie eine pneumatischen Verschlussklappe für selbiges.
Die Präparationskammer muss mit einer Ausheizstation zur thermischen Reinigung, einer Wasserstoff-Reinungsquelle für Waferoberflächen sowie einem entsprechenden Waferhandlingsystem ausgestattet sein.
Der Pumpenbereich für die Wachstumskammer soll aus einer Turbopumpe mit magnetischer Lagerung, einer bzgl. H2 Hochleistungskryopumpe, einer Ionengetterpumpe und einer Trockenläuferpumpe als Primärpumpe ausgestattet sein. Der Pumpenstrang soll zusätzlich über einen Kühlfinger mit LN2 verfügen. Die Pumpensysteme der Präparations-/Aufbewahrungskammer und Ladekammer sollen je aus einer Turbopumpe sowie einer ölfreien Scrollpumpe aufgebaut sein.

Deadline
Die Frist für den Eingang der Angebote war 2015-10-01. Die Ausschreibung wurde veröffentlicht am 2015-09-01.

Anbieter
Die folgenden Lieferanten werden in Vergabeentscheidungen oder anderen Beschaffungsunterlagen erwähnt:

• • Riber

Wer?

• • Fraunhofer Gesellschaft e. V.

Wie?

• • Maschinen für allgemeine und besondere Zwecke › Diverse Maschinen und Geräte für besondere Zwecke