Horizontaler Hochtemperaturofen
Beschaffung horizontale Ofenanlage zur Halbleiterfertigung.
Die Anlage muss 4 oder 5 individuell steuerbare Prozess-Rohre bieten. Diese müssen horizontal angeordnet und zur Bearbeitung von jeweils mindestens 50 Prozess-Wafern sowie den notwendigen Dummy-Wafern im Batch geeigenet sein. Die Anlage ist für den Einsatz in der Halbleiter-MEMS-Fertigung von 150 mm und 200 mm Si-Substraten in einem ISO 4 Reinraum zur Herstellung von SiO2-Schichten als auch für Temperungen vorgesehen.
— Aufbau:
• 3 oder 4 Rohre für Trocken- und Feucht-Oxidation bis 1 100°C;
• 1 Rohr für Reflow-Prozesse mit O2/N2 bis 1 100°C;
• Rohr-Reinigungs-System DCE;
• Roboter-System für die Wafer-Handhabung (Kassette > Boot > Kassette);
— Eigenschaften:
• Umrüstungsfreier Parallelbetrieb von 150 mm und 200 mm Substraten;
• Die Anlage verfügt über alle notwendigen Sicherheitseinrichtungen (Gaswarnsysteme, Signal-Lampen, UPS, etc.);
• Der Steuerungsrechner erlaubt ein komfortables Rezept-Management, die zeitaufgelöste Aufzeichnung aller relevanter Prozess-Daten, einen Remote-Zugriff über TCP/IP sowie eine dokumentierte Kommunikationsschnittstelle zur Ansteuerung über eine Fertigungssteuerungssoftware (MES).
Deadline
Die Frist für den Eingang der Angebote war 2015-11-24.
Die Ausschreibung wurde veröffentlicht am 2015-10-30.
Wer?
Wie?
Wo?
Geschichte der Beschaffung
Datum |
Dokument |
2015-10-30
|
Auftragsbekanntmachung
|