Ionenstrahl -Ätz- und -Depositions-System
Lieferung, Aufstellung und Inbetriebnahme eines Ionenstrahl -Ätz- und -Depositions-System.
Lieferung schließt hier zusätzlich die Übergabe eines Werksabnahmeprotokolls ein, in dem die zugesicherten Leistungsparameter (siehe B-Kriterien) dokumentiert werden.
Nachweis der Erbringung der vollständigen Leistung durch eine Endabnahme, mit der die im Werksabnahmeprotokoll spezifizierten Parameter wiederholt werden.
Allgemeine Anforderungen.
Das Gerät ist als Komplettsystem von einer Firma mit der erforderlichen Steuerungs-Software zu liefern und zu installieren, einschließlich Inbetriebnahme und Einweisung.
Die Funktionalität des errichteten Gerätesystems, einschließlich der systemspezifischen Software, muss vom Auftragnehmergewährleistet werden.
Der Service und die Gewährleistung für alle gelieferten Komponenten sind vom Auftragnehmer auszuführen bzw. zu organisieren.
Anbieter sollte mindestens 10 ähnliche Turnkeysysteme ausgeliefert und erfolgreich installiert haben. Mindestens 5 Referenzkunden müssen in Europa verfügbar und ansprechbar sein für die Einholung eines Referenzstatements.
Lieferumfang: Alles notwendige Zubehör. Die Installationsanforderungen sind zusammen mit dem Angebot separat einzureichen.
Der Auftraggeber stellt nur die elektrischen und sonstigen Anschlüsse, gemäß Installationsanforderungen zur Verfügung.
Technische Beschreibung der Komponenten und Leistungsparameter (Spezifikation):
Ionenstrahl-Ätz- und -depositions-System
— A-Kriterien
— Hochvakuum Prozesskammer, mit mind. 1 vakuumdichter Tür, mit 1 Sichtfenster und Shutter in Tür, mit differentiell gepumpter Doppel O-Ring Dichtung, ausheizbar ( mind. 90 °C);
— Loadlock Kammer, mit mind. 1 vakuumdichter Tür, mit differentiell gepumpter Doppel O-Ring Dichtung, mit automatischem Probentransfer für max. Probengrösse von mindestens Ø 150 mm, ausheizbar ( mind. 90 °C);
— Alle anderen Flansche metallgedichtet
— Vakuum Pumpenkonfiguration für Prozesskammer: Turbomolekularpumpe > 1700 l/s, mit Dry Backing Pump > 25 m³/h;
Kryopumpe > 4000 l/s, mit Dry Backing Pump; Kryoschild oder Kühlfalle mit flüss. N2 Kältemittel
— Vakuum Pumpenkonfiguration für Loadlock Kammer: Turbomolekularpumpe > 160 l/s, mit Dry Backing Pump > 10 m³/h
— 2 Ionenstrahlquellen, je für a) Ätzprozess und b) Depositionsprozess: Ø mindestens 120 mm, Metall-gedichtet, 3-Gitter Extraktion; kompatibel für reaktive Gase;
a) Ionenstrahlquelle für Ätzprozess: Plasmaanregung unter Einkopplung von elektromagnetischer Strahlung (RF oder Mikrowellen), maximale Leistung des Generators mindestens 1500 W, elektromagnetische Wellenleistung mindestens 400 W; mit resonantem Energietransfer und automatischer Wellen-Impedanz-Abstimmung; mit relativ kleiner Strahlspannung und Ionenenergie (≤ 100 eV) für glattere Oberflächen und zur Vermeidung von schädigenden Kollisionskaskaden; beim Plasmaanregungs-Prozess soll aufgrund von Variationen in Plasmadichte und Plasmapotential die Energie der auf das Substrat auftreffenden Ionen leicht manipulierbar sein max. Ionenenergie mindestens 1 300 eV, max. Ionenstrom mindestens 0.2 A (bei min. Beschleunigungsstrom von max. 0.3 A), Stromdichten ca. 0.05 – 5 mA/cm²; Strahlparameter: 50-2 000 V, max. 1 A, max. 1 200 W; Beschleunigungsparameter: 0-1 000 V, max. 0,3 A, max. 300 W;
b) Ionenstrahlquelle für Deposition: Anregung des Plasmas mittels Einstrahlung elektromagnetischer Wellen (RF oder Mikrowellen; induktiv gekoppelt), max. Leistung des Generators mindestens 1500 W; automatische Wellen-Impedanz Abstimmung innerhalb der Quelle; Ionenenergie 100-1 500 eV, Ionenstrom max. 0.5 A; Stromdichten ca. 0.05-10 mA/cm²;
Strahlparameter: 50-1 500 V, max. 1 A, maximale Leistung mindestens 1200 W; Beschleunigungsparameter: 0-1 000 V, max. 0.3 A, max. 300 W;
— Plasma-Brücken Neutralisator: maximaler Elektronen-Emissionsstrom von mindestens 0.5 A;
— Multitargethalter: mindestens 6 Targets mit je mindestens Ø 102 mm; automatischer Wechsel zwischen verschiedenen Targets; variabler Sputterwinkel und variable Sputterposition am Target für optimalen Sputter Abtrag;
— Substrathalter: Probenhalterung für max. Probengrösse von mindestens Ø 150 mm; max. Probenrotation mind. 20 UPM; rückwärtige He-Kühlung;
— 8 MFC kontrollierte Gasversorgungslinien
— Endpunktdetektion beim Ätzen mittels SIMS: differentiell gepumpt (Turbopumpe ca. 60 l/s und Dry Pump); 300 amu Massenbereich; Energiefilter Bereich 100 eV; Energiebandpass 0.5 eV;
— Schichtdickenkontrolle mittels 2 Schwingquarz-Oszillatoren für Ätz- und Depositions-Prozesse;
— Systemintegration durch Reinraumwand: Öffnung zur Loadlock-Beladestation und Monitor mit Tastatur innerhalb des Reinraums;
— Computerkontrolle der Prozesse: PC + Monitor + Tastatur im Grauraum; verschiedene Administratorebenen; Prozessparameter-Speicherung für voll automatischen Betrieb;
Deadline
Die Frist für den Eingang der Angebote war 2015-08-12.
Die Ausschreibung wurde veröffentlicht am 2015-07-13.
Anbieter
Die folgenden Lieferanten werden in Vergabeentscheidungen oder anderen Beschaffungsunterlagen erwähnt:
Wer?
Wie?
Wo?
Geschichte der Beschaffung
| Datum |
Dokument |
| 2015-07-13
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Auftragsbekanntmachung
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| 2015-08-26
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Ergänzende Angaben
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| 2015-11-18
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Bekanntmachung über vergebene Aufträge
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