Sputteranlage zur Beschichtung von Halbleitersubstraten
Sputteranlage zur Beschichtung von Halbleitersubstraten:
Das Fraunhofer Institut für Solare Energiesysteme in Freiburg entwickelt Solarzellen der nächsten Generation. Für die Prozessierung der Solarzellen soll eine Beschichtungsanlage für Metalle, leitfähige Oxide und dielektrische Antireflexschichten angeschafft werden, in welcher W, Si und Mo basierte Schichten in folgenden Systemen hergestellt werden können:
— W-Si-N: Stöchiometrie ca. W0.4Si0.4N0.2, DC-Prozess reaktiv;
— W-C: RF-Prozess nicht reaktiv;
— WOx: DC-Prozess reaktiv, WOx möglichst transparent und leitfähig;
— MOx: DC-Prozess reaktiv, MOx möglichst transparent und leitfähig;
— Si-N: DC-Prozess reaktiv, hohe Transparenz und Brechungsindex;
— W-N: DC-Prozess reaktiv.
Eine Auswahl von Prozessen (W-Si-N, W-C, MOx und Si-N) ist bei der Abnahme mit einer Schichtdickenhomogenität von besser als +/- 5 % über einen Substratdurchmesser von 150 mm nachzuweisen.
Die Substrate dürfen während der Prozesse nicht über 110 °C erhitzt werden.
Die Beladung der Substrate erfolgt manuell. Es ist aber eine Erweiterung zu einer späteren Roboterbeladung vorzusehen und nachzuweisen.
Deadline
Die Frist für den Eingang der Angebote war 2015-11-13.
Die Ausschreibung wurde veröffentlicht am 2015-09-29.
Anbieter
Die folgenden Lieferanten werden in Vergabeentscheidungen oder anderen Beschaffungsunterlagen erwähnt:
Wer?
Wie?
Wo?
Geschichte der Beschaffung
| Datum |
Dokument |
| 2015-09-29
|
Auftragsbekanntmachung
|
| 2015-12-09
|
Bekanntmachung über vergebene Aufträge
|