E_848_219421 cl-Ols – Hochtemperaturöfen
E_848_219421 cl-Ols – Hochtemperaturöfen.
Horizontale und vertikale Hochtemperaturöfen zur Halbleiterfertigung zur thermischen Oxidation, Temperierung und POCl3-Belegung.
Die Öfen sollen unterschiedlich ausgestattet sein.
Eine Anlage muss 1 Prozess-Rohre bieten. Dieses kann horizontal oder vertikal angeordnet ein und zur Bearbeitung (POCl3-Belegung) von jeweils mindestens 50 Prozess-Wafern sowie den notwendigen Dummy-Wafern im Batch geeigenet sein. Die Anlage ist für den Einsatz in der Halbleiter-MEMS-Fertigung von 150 mm und 200 mm Si-Substraten in einem ISO 4 Reinraum zur Herstellung von SiO2-Schichten als auch für Temperungen vorgesehen.
Die Anlage muss 2 individuell steuerbare Prozess-Rohre bieten. Diese können horizontal oder vertikal angeordnet sein und zur Bearbeitung von jeweils mindestens 50 Prozess-Wafern sowie den notwendigen Dummy-Wafern im Batch geeigenet sein. Die Anlage ist für den Einsatz in der Halbleiter-MEMS-Fertigung von 150 mm und 200 mm Si-Substraten in einem ISO 4 Reinraum zur Temperung (Wasserstoff-Anneal und N2/O2-Anneal) von Metallen oder Metalloxiden vorgesehen.
Die Anlage muss ein Prozess-Rohr bieten. Dieses muss vertikal angeordnet sein und zur Bearbeitung von mindestens 50 Prozess-Wafern sowie den notwendigen Dummy-Wafern im Batch geeigenet sein. Die Anlage ist für den Einsatz in der Halbleiter-MEMS-Fertigung von 200 mm Si-Substraten in einem ISO 4 Reinraum zur Herstellung von SiO2-Schichten als auch für Temperungen vorgesehen.
Deadline
Die Frist für den Eingang der Angebote war 2016-03-18.
Die Ausschreibung wurde veröffentlicht am 2016-02-17.
Anbieter
Die folgenden Lieferanten werden in Vergabeentscheidungen oder anderen Beschaffungsunterlagen erwähnt:
Wer?
Wie?
Wo?
Geschichte der Beschaffung
| Datum |
Dokument |
| 2016-02-17
|
Auftragsbekanntmachung
|
| 2016-08-30
|
Bekanntmachung über vergebene Aufträge
|
| 2016-08-30
|
Bekanntmachung über vergebene Aufträge
|