E_848_219421 cl-Ols – Hochtemperaturöfen

Fraunhofer Gesellschaft e. V.

E_848_219421 cl-Ols – Hochtemperaturöfen.
Horizontale und vertikale Hochtemperaturöfen zur Halbleiterfertigung zur thermischen Oxidation, Temperierung und POCl3-Belegung.
Die Öfen sollen unterschiedlich ausgestattet sein.
Eine Anlage muss 1 Prozess-Rohre bieten. Dieses kann horizontal oder vertikal angeordnet ein und zur Bearbeitung (POCl3-Belegung) von jeweils mindestens 50 Prozess-Wafern sowie den notwendigen Dummy-Wafern im Batch geeigenet sein. Die Anlage ist für den Einsatz in der Halbleiter-MEMS-Fertigung von 150 mm und 200 mm Si-Substraten in einem ISO 4 Reinraum zur Herstellung von SiO2-Schichten als auch für Temperungen vorgesehen.
Die Anlage muss 2 individuell steuerbare Prozess-Rohre bieten. Diese können horizontal oder vertikal angeordnet sein und zur Bearbeitung von jeweils mindestens 50 Prozess-Wafern sowie den notwendigen Dummy-Wafern im Batch geeigenet sein. Die Anlage ist für den Einsatz in der Halbleiter-MEMS-Fertigung von 150 mm und 200 mm Si-Substraten in einem ISO 4 Reinraum zur Temperung (Wasserstoff-Anneal und N2/O2-Anneal) von Metallen oder Metalloxiden vorgesehen.
Die Anlage muss ein Prozess-Rohr bieten. Dieses muss vertikal angeordnet sein und zur Bearbeitung von mindestens 50 Prozess-Wafern sowie den notwendigen Dummy-Wafern im Batch geeigenet sein. Die Anlage ist für den Einsatz in der Halbleiter-MEMS-Fertigung von 200 mm Si-Substraten in einem ISO 4 Reinraum zur Herstellung von SiO2-Schichten als auch für Temperungen vorgesehen.

Deadline

Die Frist für den Eingang der Angebote war 2016-03-18. Die Ausschreibung wurde veröffentlicht am 2016-02-17.

Anbieter

Die folgenden Lieferanten werden in Vergabeentscheidungen oder anderen Beschaffungsunterlagen erwähnt:

Wer? Wie? Wo?
Geschichte der Beschaffung
Datum Dokument
2016-02-17 Auftragsbekanntmachung
2016-08-30 Bekanntmachung über vergebene Aufträge
2016-08-30 Bekanntmachung über vergebene Aufträge
Auftragsbekanntmachung (2016-02-17)
Objekt
Umfang der Beschaffung
Titel: Industrie- oder Laboratoriumsbrennöfen, Veraschungsöfen und Öfen
Menge oder Umfang: 3 Stück.
Metadaten der Bekanntmachung
Originalsprache: Deutsch 🗣️
Dokumenttyp: Auftragsbekanntmachung
Art des Auftrags: Lieferungen
Verordnung: Europäische Union, mit GPA-Beteiligung
Gemeinsames Vokabular für öffentliche Aufträge (CPV)
Code: Industrie- oder Laboratoriumsbrennöfen, Veraschungsöfen und Öfen 📦

Verfahren
Verfahrensart: Verhandlungsverfahren
Angebotsart: Angebot für ein oder mehrere Los(e)
Vergabekriterien
Wirtschaftlichstes Angebot

Öffentlicher Auftraggeber
Identität
Land: Deutschland 🇩🇪
Art des öffentlichen Auftraggebers: Sonstiges
Name des öffentlichen Auftraggebers: Fraunhofer Gesellschaft e. V.
Postanschrift: Hansastr. 27c
Postleitzahl: 80686
Postort: München
Kontakt
Internetadresse: http://www.fraunhofer.de 🌏
E-Mail: einkauf@zv.fraunhofer.de 📧

Referenz
Daten
Absendedatum: 2016-02-17 📅
Einreichungsfrist: 2016-03-18 📅
Veröffentlichungsdatum: 2016-02-20 📅
Kennungen
Bekanntmachungsnummer: 2016/S 036-057900
ABl. S-Ausgabe: 36
Zusätzliche Informationen
Anforderung Unterlagen – erhältlich bei: Die Vergabeunterlagen können ausschließlich über das Vergabeportal der deutschen eVergabe unter www.deutsche-evergabe.de abgerufen werden. Nach §11 der Vergabeordnung haben wir uns entschieden die Vergabeunterlagen ausschließlich digital über die deutsche eVergabe anzubieten. Die Nutzung der Plattform www.deutsche-evergabe.de ist kostenpflichtig. Bewerber unterliegen mit der Angebotsabgabe auch den Bestimmungen über nichtberücksichtigte Angebote (§22 EG VOL).
Mehr anzeigen

Objekt
Umfang der Beschaffung
Kurze Beschreibung:
E_848_219421 cl-Ols – Hochtemperaturöfen.
Horizontale und vertikale Hochtemperaturöfen zur Halbleiterfertigung zur thermischen Oxidation, Temperierung und POCl3-Belegung.
Die Öfen sollen unterschiedlich ausgestattet sein.
Eine Anlage muss 1 Prozess-Rohre bieten. Dieses kann horizontal oder vertikal angeordnet ein und zur Bearbeitung (POCl3-Belegung) von jeweils mindestens 50 Prozess-Wafern sowie den notwendigen Dummy-Wafern im Batch geeigenet sein. Die Anlage ist für den Einsatz in der Halbleiter-MEMS-Fertigung von 150 mm und 200 mm Si-Substraten in einem ISO 4 Reinraum zur Herstellung von SiO2-Schichten als auch für Temperungen vorgesehen.
Mehr anzeigen
Die Anlage muss 2 individuell steuerbare Prozess-Rohre bieten. Diese können horizontal oder vertikal angeordnet sein und zur Bearbeitung von jeweils mindestens 50 Prozess-Wafern sowie den notwendigen Dummy-Wafern im Batch geeigenet sein. Die Anlage ist für den Einsatz in der Halbleiter-MEMS-Fertigung von 150 mm und 200 mm Si-Substraten in einem ISO 4 Reinraum zur Temperung (Wasserstoff-Anneal und N2/O2-Anneal) von Metallen oder Metalloxiden vorgesehen.
Mehr anzeigen
Die Anlage muss ein Prozess-Rohr bieten. Dieses muss vertikal angeordnet sein und zur Bearbeitung von mindestens 50 Prozess-Wafern sowie den notwendigen Dummy-Wafern im Batch geeigenet sein. Die Anlage ist für den Einsatz in der Halbleiter-MEMS-Fertigung von 200 mm Si-Substraten in einem ISO 4 Reinraum zur Herstellung von SiO2-Schichten als auch für Temperungen vorgesehen.
Mehr anzeigen
Losnummer: 1
Bezeichnung des Loses: Horizontale Ofenanlage zur Halbleiterfertigung
Kurze Beschreibung:
Horizontale Ofenanlage 4 zur Halbleiterfertigung.Die Anlage muss 1 Prozess-Rohre bieten. Dieses kann horizontal oder vertikal angeordnet ein und zur Bearbeitung (POCl3-Belegung) von jeweils mindestens 50 Prozess-Wafern sowie den notwendigen Dummy-Wafern im Batch geeigenet sein. Die Anlage ist für den Einsatz in der Halbleiter-MEMS-Fertigung von 150 mm und 200 mm Si-Substraten in einem ISO 4 Reinraum zur Herstellung von SiO2-Schichten als auch für Temperungen vorgesehen.— Aufbau:o 1 Rohr zur homogenen POCl3-Belegung und einhergehender P-Diffusion bis 1 100 °C;o Geeignetes Abgaskonzept zur POCl3-Entsorgung,— Eigenschaften:o Umrüstungsfreier Parallelbetrieb von 150 mm und 200 mm Substraten;o Die Anlage verfügt über alle notwendigen Sicherheitseinrichtungen (Gaswarnsysteme, Signal-Lampen, UPS, etc.);o Der Steuerungsrechner erlaubt ein komfortables Rezept-Management, die zeitaufgelöste Aufzeichnung aller relevanter Prozess-Daten, einen Remote-Zugriff über TCP/IP sowie eine dokumentierte Kommunikationsschnittstelle zur Ansteuerung über eine Fertigungssteuerungssoftware (MES).
Mehr anzeigen
Horizontale Ofenanlage 4 zur Halbleiterfertigung.
Die Anlage muss 1 Prozess-Rohre bieten. Dieses kann horizontal oder vertikal angeordnet ein und zur Bearbeitung (POCl3-Belegung) von jeweils mindestens 50 Prozess-Wafern sowie den notwendigen Dummy-Wafern im Batch geeigenet sein. Die Anlage ist für den Einsatz in der Halbleiter-MEMS-Fertigung von 150 mm und 200 mm Si-Substraten in einem ISO 4 Reinraum zur Herstellung von SiO2-Schichten als auch für Temperungen vorgesehen.
Mehr anzeigen
— Aufbau:
o 1 Rohr zur homogenen POCl3-Belegung und einhergehender P-Diffusion bis 1 100 °C;
o Geeignetes Abgaskonzept zur POCl3-Entsorgung,
— Eigenschaften:
o Umrüstungsfreier Parallelbetrieb von 150 mm und 200 mm Substraten;
o Die Anlage verfügt über alle notwendigen Sicherheitseinrichtungen (Gaswarnsysteme, Signal-Lampen, UPS, etc.);
o Der Steuerungsrechner erlaubt ein komfortables Rezept-Management, die zeitaufgelöste Aufzeichnung aller relevanter Prozess-Daten, einen Remote-Zugriff über TCP/IP sowie eine dokumentierte Kommunikationsschnittstelle zur Ansteuerung über eine Fertigungssteuerungssoftware (MES).
Mehr anzeigen
Menge oder Umfang: 1 Stück.
Losnummer: 2
Kurze Beschreibung:
Horizontale Ofenanlage zur Halbleiterfertigung:Die Anlage muss 2 individuell steuerbare Prozess-Rohre bieten. Diese können horizontal oder vertikal angeordnet sein und zur Bearbeitung von jeweils mindestens 50 Prozess-Wafern sowie den notwendigen Dummy-Wafern im Batch geeigenet sein. Die Anlage ist für den Einsatz in der Halbleiter-MEMS-Fertigung von 150 mm und 200 mm Si-Substraten in einem ISO 4 Reinraum zur Temperung (Wasserstoff-Anneal und N2/O2-Anneal) von Metallen oder Metalloxiden vorgesehen.— Aufbau:o 1 Rohr für H2/N2 Anneal (H2 bis 10 %) bis 500°C;o 1 Rohr für N2/O2-Anneal bis 500°C,— Eigenschaften:o Umrüstungsfreier Parallelbetrieb von 150 mm und 200 mm Substraten;o Die Anlage verfügt über alle notwendigen Sicherheitseinrichtungen (Gaswarnsysteme, Signal-Lampen, UPS, H2-Nachbehandlung, etc.);o Der Steuerungsrechner erlaubt ein komfortables Rezept-Management, die zeitaufgelöste Aufzeichnung aller relevanter Prozess-Daten, einen Remote-Zugriff über TCP/IP sowie eine dokumentierte Kommunikationsschnittstelle zur Ansteuerung über eine Fertigungssteuerungssoftware (MES).
Mehr anzeigen
Horizontale Ofenanlage zur Halbleiterfertigung:
o 1 Rohr für H2/N2 Anneal (H2 bis 10 %) bis 500°C;
o 1 Rohr für N2/O2-Anneal bis 500°C,
o Die Anlage verfügt über alle notwendigen Sicherheitseinrichtungen (Gaswarnsysteme, Signal-Lampen, UPS, H2-Nachbehandlung, etc.);
Losnummer: 3
Bezeichnung des Loses: Vertikale Ofenanlage zur Halbleiterfertigung
Kurze Beschreibung:
Vertikale Ofenanlage zur Halbleiterfertigung:Die Anlage muss ein Prozess-Rohr bieten. Dieses muss vertikal angeordnet sein und zur Bearbeitung von mindestens 50 Prozess-Wafern sowie den notwendigen Dummy-Wafern im Batch geeigenet sein. Die Anlage ist für den Einsatz in der Halbleiter-MEMS-Fertigung von 200 mm Si-Substraten in einem ISO 4 Reinraum zur Herstellung von SiO2-Schichten als auch für Temperungen vorgesehen.— Aufbau:o 1 Rohr für Trocken- und Feucht-Oxidation bis 1 100 °C;o Rohr-Reinigungs-System DCE;o Roboter-System für die Wafer-Handhabung (Kassette > Boot > Kassette) (vollautomatisches Handling),— Eigenschaften:o Die Anlage verfügt über alle notwendigen Sicherheitseinrichtungen (Gaswarnsysteme, Signal-Lampen, UPS, etc.);o Der Steuerungsrechner erlaubt ein komfortables Rezept-Management, die zeitaufgelöste Aufzeichnung aller relevanter Prozess-Daten, einen Remote-Zugriff über TCP/IP sowie eine dokumentierte Kommunikationsschnittstelle zur Ansteuerung über eine Fertigungssteuerungssoftware (MES).
Mehr anzeigen
Vertikale Ofenanlage zur Halbleiterfertigung:
o 1 Rohr für Trocken- und Feucht-Oxidation bis 1 100 °C;
o Rohr-Reinigungs-System DCE;
o Roboter-System für die Wafer-Handhabung (Kassette > Boot > Kassette) (vollautomatisches Handling),
Es werden Varianten akzeptiert ✅
Beschreibung der Optionen: Optional ist Zubehör anzubieten.
Dauer: 7 Monate
Referenznummer: E_848_219421 cl-Ols
Bezeichnung des von der EU finanzierten Projekts oder Programms: EFRE-Mittel.
Ort der Leistung
Hauptstandort oder Erfüllungsort: Dresden.

Rechtliche, wirtschaftliche, finanzielle und technische Informationen
Bedingungen für die Teilnahme
Befähigung zur Berufsausübung: — Firmenprofil.
Wirtschaftliche und finanzielle Leistungsfähigkeit:
— Umsätze der letzten 3 Geschäftsjahre;
— Eigenerklärung über das ordnungsgemäße Abführen von Steuern und Sozialabgaben;
— Eigenerklärung, dass kein Insolvenzverfahren in Eröffnung ist, eröffnet wurde oder mangels Masse abgelehnt wurde;
— Eigenerklärung, dass nachweislich keine schweren Verfehlungen begangen wurden, die die Zuverlässigkeit als Bewerber in Frage stellen;
— Auszug aus dem Gewerbezentralregister gemäß § 150 a GewO (wird durch den Auftraggeber angefordert).
Technische und berufliche Fähigkeiten:
— Komplette Referenzen (Kontaktdaten, Ansprechpartner) von vergleichbaren Anlagen für CMOS und MEMs Prozessierungen, nicht älter als 3 Jahre;
— Nennung der Anzahl der gelieferten vergleichbaren Systeme für die Halbleiterindustrie…
… in Europa;
… weltweit;
— Angabe der Marktpräsenz;
— Angabe der Entfernung des Servicestandortes zum Institut IPMS;
— Angabe der Anzahl der Mitarbeiter im Service.
Auftragsausführung
Wichtigste Finanzierungsbedingungen und Zahlungsmodalitäten und/oder Verweis auf die einschlägigen Bestimmungen, die sie regeln: Nach VOL und Vergabeunterlagen.
Rechtsform der Gruppe von Wirtschaftsteilnehmern, an die der Auftrag vergeben werden soll: Gesamtschuldnerisch haftend mit bevollmächtigtem Vertreter.
Sonstige besondere Bedingungen:
Bei evtl. Einsatz von Nachunternehmern ist spätestens mit Abgabe des Angebots sowie der Eignungsunterlagen bekanntzugeben. Ihre Eignung ist ebenfalls anhand der unter III.2) geforderten Unterlagen nachzuweisen. Der Anteil am Leistungsumfang ist dazulegen. Ferner ist vom Unterauftragnehmer rechtsverbindlich zu bestätigen, dass er im Auftragsfall uneingeschränkt zur Verfügung steht.
Mehr anzeigen

Verfahren
Voraussichtliche Anzahl von Bewerbern: 8
Objektive Auswahlkriterien:
Gemäß Eignungskriterien, Referenzen, Anzahl der installierten Geräte, Servicestandort, Marktpräsenz.
Sprachen
Sprache: Deutsch 🗣️
Englisch 🗣️

Öffentlicher Auftraggeber
Identität
Andere Art des öffentlichen Auftraggebers: Other
Kontakt
Kontaktperson: C2 – Einkauf
URL der Teilnahme: http://www.deutsche-evergabe.de 🌏
Name: Fraunhofer Gesellschaft e. V. über Vergabeportal deutsche-eVergabe
Postanschrift: Wilhelmstr. 20-22
Postort: Wiesbaden
Postleitzahl: 65185
Telefon: +49 6119491060 📞
E-Mail: fraunhofer@deutsche-evergabe.de 📧
URL für weitere Informationen: http://www.deutsche-evergabe.de 🌏
URL der Dokumente: http://www.deutsche-evergabe.de 🌏

Referenz
Kennungen
Vom öffentlichen Auftraggeber vergebene Referenznummer: E_848_219421 cl-Ols
Zusätzliche Informationen
Anforderung Unterlagen – erhältlich bei: Die Vergabeunterlagen können ausschließlich über das Vergabeportal der deutschen eVergabe unter www.deutsche-evergabe.de abgerufen werden.
Nach §11 der Vergabeordnung haben wir uns entschieden die Vergabeunterlagen ausschließlich digital über die deutsche eVergabe anzubieten.
Die Nutzung der Plattform www.deutsche-evergabe.de ist kostenpflichtig.
Bewerber unterliegen mit der Angebotsabgabe auch den Bestimmungen über nichtberücksichtigte Angebote (§22 EG VOL).

Ergänzende Informationen
Körper überprüfen
Name: Vergabekammer des Bundes beim Bundeskartellamt
Postanschrift: Villemomblerstr. 76
Postort: Bonn
Postleitzahl: 53123
Land: Deutschland 🇩🇪
Informationen zu Fristen für Nachprüfungsverfahren:
Solange ein wirksamer Zuschlag (Vertragsschluss) noch nicht erteilt ist, kann als Rechtsbehelf ein Nachprüfungsantrag bei der unter VI.4.1) genannten Stelle gestellt werden. Bewerber/Bieter müssen Vergaberechtsverstöße unverzüglich bei der unter I.1) genannten Vergabestelle rügen, bevor sie einen Nachprüfungsantrag stellen. Wir weisen ausdrücklich auf die Antragsfrist des §107 Abs. 3 Nr. 4 Gesetz gegen Wettbewerbsbeschränkungen (GWB) hin.
Mehr anzeigen
Bieter, deren Angebote nicht berücksichtigt werden soll, werden vor dem Zuschlag gem. §101a GWB informiert.
Dienststelle, bei der Informationen über das Überprüfungsverfahren eingeholt werden können
Name: Vergabestelle siehe I.1)
Quelle: OJS 2016/S 036-057900 (2016-02-17)
Bekanntmachung über vergebene Aufträge (2016-08-30)
Objekt
Umfang der Beschaffung
Referenznummer: E_848_219473 cl
Kurze Beschreibung:
E_848_219473 cl – Vertikale Ofenanlage zur Halbleiterfertigung. Los 3 zu Ausschreibung 848/219421.
Gesamtwert des Auftrags: 0.01 EUR 💰
Metadaten der Bekanntmachung
Dokumenttyp: Bekanntmachung über vergebene Aufträge
Ort der Leistung
NUTS-Region: Dresden 🏙️

Verfahren
Verfahrensart: Verhandlungsverfahren
Angebotsart: Entfällt

Öffentlicher Auftraggeber
Identität
Postanschrift: Hansastr. 27 c
Kontakt
Telefon: +49 891205-3229 📞
Fax: +49 891205-7547 📠

Referenz
Daten
Absendedatum: 2016-08-30 📅
Veröffentlichungsdatum: 2016-09-02 📅
Kennungen
Bekanntmachungsnummer: 2016/S 169-303742
Verweist auf Bekanntmachung: 2016/S 036-057900
ABl. S-Ausgabe: 169

Objekt
Umfang der Beschaffung
Kurze Beschreibung:
E_848_219473 cl – Vertikale Ofenanlage zur Halbleiterfertigung.
Los 3 zu Ausschreibung 848/219421.
Vertikale Ofenanlage zur Halbleiterfertigung.
Bezeichnung des von der EU finanzierten Projekts oder Programms: EFRE-Mittel.
Ort der Leistung
Hauptstandort oder Erfüllungsort: 01109 Dresden.

Verfahren
Vergabekriterien
Qualitätskriterium (Bezeichnung): Übereinstimmung zur TPS, besonders wichtig ist hier die Einhaltung der vorgegebenen Reinraumfläche
Qualitätskriterium (Gewichtung): 55
Qualitätskriterium (Bezeichnung): Service
Qualitätskriterium (Gewichtung): 10
Gewichtung des Preises: 35

Auftragsvergabe
Datum des Vertragsabschlusses: 2016-08-17 📅

Öffentlicher Auftraggeber
Identität
Andere Art des öffentlichen Auftraggebers: Forschungsgesellschaft e. V.
Kontakt
Kontaktperson: Carla Lönz

Ergänzende Informationen
Körper überprüfen
Postanschrift: Villemomblerstraße 76
Informationen zu Fristen für Nachprüfungsverfahren:
Solange ein wirksamer Zuschlag (Vertragsschluss) noch nicht erteilt ist, kann als Rechtsbehelf ein Nachprüfungsantrag bei der unter VI.4.1 genannten Stelle gestellt werden. Bewerber/Bieter müssen Vergaberechtsverstöße unverzüglich bei der unter I.1 genannten Vergabestelle rügen, bevor sie einen Nachprüfungsantrag stellen. Wir weisen ausdrücklich auf die Antragsfrist des §107 Abs. 3 Satz 1 Nr. 4 Gesetz gegen Wettbewerbsbeschränkungen (GWB) hin. Bieter, deren Angebote nicht berücksichtigt werden sollen, werden vor dem Zuschlag gem. §101a GWB informiert.
Mehr anzeigen
Für Mediationsverfahren zuständige Stelle
Name: Vergabeprüfstelle des BMBF, Referat Z 23
Postanschrift: Heinemannstraße 2
Postort: Bonn
Postleitzahl: 53175
Land: Deutschland 🇩🇪
Quelle: OJS 2016/S 169-303742 (2016-08-30)
Bekanntmachung über vergebene Aufträge (2016-08-30)
Objekt
Umfang der Beschaffung
Gesamtwert des Auftrags: 0.01 EUR 💰
Gemeinsames Vokabular für öffentliche Aufträge (CPV)
Zusätzlicher CPV-Code: Industrie- oder Laboratoriumsbrennöfen, Veraschungsöfen und Öfen 📦
Ort der Leistung
NUTS-Region: Dresden, Kreisfreie Stadt 🏙️

Referenz
Kennungen
Bekanntmachungsnummer: 2016/S 169-303796

Objekt
Umfang der Beschaffung
Kurze Beschreibung: Horizontale Ofenanlage zur Halbleiterfertigung.

Ergänzende Informationen
Körper überprüfen
Informationen zu Fristen für Nachprüfungsverfahren:
Solange ein wirksamer Zuschlag (Vertragsschluss) noch nicht erteilt ist, kann als Rechtsbehelf ein Nachprüfungsantrag bei der unter VI.4.1 genannten Stelle gestellt werden. Bewerber/Bieter müssen Vergaberechtsverstöße unverzüglich bei der unter I.1 genannten Vergabestelle rügen, bevor sie einen Nachprüfungsantrag stellen. Wir weisen ausdrücklich auf die Antragsfrist des § 107 Abs. 3 Nr. 4 Gesetz gegen Wettbewerbsbeschränkungen (GWB) hin.
Mehr anzeigen
Bieter, deren Angebote nicht berücksichtigt werden soll, werden vor dem Zuschlag gem. § 101a GWB informiert.
Für Mediationsverfahren zuständige Stelle
Name: Vergabeprüfstelle des BMBF; Referat Z 23
Postanschrift: Heinemannstr. 2
Quelle: OJS 2016/S 169-303796 (2016-08-30)
Neue Beschaffungen in verwandten Kategorien 🆕
Verwandte Suchen 🔍
Region:
Deutschland Sachsen Dresden Dresden, Kreisfreie Stadt
Anbieter:
INOTHERM Industriewärmegeräte GmbH Tokyo Electron Europe Headqua. Pioneer,...
Produkte/Dienstleistungen:
Industrielle Maschinen Industrie- oder Laboratoriumsbrennöfen,...