Ionenstrahlätzanlage
Chemisch unterstütze Ionenstrahlätzanlage
Das System soll geeignet sein für das Trockenätzen von Dünnschichten bestehend aus edlen Metallen, Piezomaterialien wie Lithiumniobat und Schichtsystemen. Die Schichtsysteme können unter anderem bestehen aus: (Metall/Metalloxid)n wobei „n“ die Anzahl der Ebenen im Stapel ist, oder auch III-V Halbleitern wie GaAs, AlAs und InGaAs. Gefordert wird ein rein physikalisches Ätzen (IBE) mittels Argonionen und reaktivem Ionenätzen (RIBE) mit Hilfe von Chlorgas, BCl3 und Sauerstoff, zugeführt durch einen Gasring.
Eine in-situ Detektion des Ätzfortschrittes soll per Sekundärionen-Massenspektrometrie (SIMS) ermöglicht werden. Ein funktionsfähiger SIMS Detektor von HIDEN ist vorhanden und es soll geprüft werden, ob das SIMS in das neue System integriert werden kann. Die Option zum Kauf, inklusive Preis eines neuen SIMS-Systems, soll dem Angebot beigefügt werden.
Deadline
Die Frist für den Eingang der Angebote war 2016-07-05.
Die Ausschreibung wurde veröffentlicht am 2016-05-20.
Wer?
Wie?
Wo?
Geschichte der Beschaffung
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Dokument |
| 2016-05-20
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Auftragsbekanntmachung
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