Schichtdicken-und Reflexionsmessgerät FTMS

Fraunhofer Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e. V. über Vergabeportal deutsche eVergabe

Teil 1 von 2.
Das zu beschaffende Schichtdicken- und Reflexionsmessgerät soll die Charakterisierung von Dünnfilm-Schichten auf 200-mm-Wafern in einem CMOS-kompatiblen Reinraum Klasse 10 (ISO: 4) ermöglichen.
Die Materialien in den Messaufgaben umfassen typische Single- und Multi-Layer in MOEMS-Prozessen, wie Halbleiter, Isolationsschichten, Metalle, Metalloxide, organische Schichten (Resist, Polymere) auf typischen Substraten, wie zum Beispiel Si, Ge, TiAl, Al, TiN.
1. Technische Anforderung:
— Ein-/Ausgabe-Stationen (Load ports) und automatisches Handling-System mit Prealign des Wafers nach Notch und in Bezug zum Messpunktkoordinatensystems für 200mm Wafer gem. SEMI-Standard;
— Möglichkeit von automatisierten Messprogrammen auf strukturierten Wafern mit Pattern Recognition nach verschiedenen fest vorgegebenen oder auch frei wählbar programmierten Messpositionen;
— für die spezifizierte Anlage gültige und lizensierte Software (OS: Windows 7 oder neuer).

Deadline
Die Frist für den Eingang der Angebote war 2016-10-13. Die Ausschreibung wurde veröffentlicht am 2016-09-13.

Anbieter
Die folgenden Lieferanten werden in Vergabeentscheidungen oder anderen Beschaffungsunterlagen erwähnt:

• • Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd.

Wer?

• • Fraunhofer Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e. V. über Vergabeportal deutsche eVergabe

Wie?

• • Maschinen für allgemeine und besondere Zwecke › Diverse Maschinen und Geräte für besondere Zwecke

Wo?

• • Oberbayern › München, Kreisfreie Stadt