1 St. Schichtdicken- und Reflexionsmesssystem
1 St. Schichtdicken- und Reflexionsmesssystem;
Das zu beschaffende Schichtdicken- und Reflexionsmessgerät soll die Charakterisierung von Dünnfilm- und Epi-Schichten auf 200-mm-Wafern ermöglichen.
Die Materialien in den Messaufgaben umfassen typische Single- und Multi-Layer in MOEMS-Prozessen, wie Halbleiter, Isolationsschichten, Metalle, Metalloxide, organische Schichten (Resist, Polymere) auf typischen Substraten, wie zum Beispiel Si, Ge, TiAl, Al, TiN.
1. Technische Anforderung:
Ein-/Ausgabe-Stationen (Load ports) und automatisches Handling-System mit Prealign des Wafers nach Notch und in Bezug zum Messpunktkoordinatensystems für 200-mm-Wafer gem. SEMI-Standard
Möglichkeit von automatisierten Messprogrammen auf strukturierten Wafern mit Pattern Recognition und nach verschiedenen fest vorgegebenen oder auch frei wählbar programmierten Messpositionen
für die spezifizierte Anlage gültige und lizensierte Software (OS: Windows 10 oder vergleichbar)
weiter in II.2.4).
Deadline
Die Frist für den Eingang der Angebote war 2017-09-08.
Die Ausschreibung wurde veröffentlicht am 2017-08-08.
Anbieter
Die folgenden Lieferanten werden in Vergabeentscheidungen oder anderen Beschaffungsunterlagen erwähnt:
Wer?
Wie?
Wo?
Geschichte der Beschaffung
| Datum |
Dokument |
| 2017-08-08
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Auftragsbekanntmachung
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| 2017-12-08
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Bekanntmachung über vergebene Aufträge
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