Beschaffung einer Ätzanlage
Inductively Coupled Plasma (ICP) Ätzsystem mit Vakuumschleuse
Beschafft werden soll eine erprobte Anlage, welche u.a. zur Nanostrukturierung von III-V Verbindungshalbleitern geeignet ist.
Die ICP Quelle und ICP Plasmakammer sollen für kleine Wafer bis max. 50 mm Durchmesser optimiert sein.
Die Anlage muss im RIE Mode und im ICP Mode betrieben werden können.
Substrat-Elektrode geeignet für Bruchstücke und bis zu 200 mm Wafer (ohne Umbauten)
Elektrodentemperatur regelbar (-30 bis + 80° C)
Platzbedarf des Systems < = 170 cm x 65 cm
Das Angebot soll umfassen:
Vakuumsystem
Separater Gas Pod für max. 8 MFC-kontrollierte Gaslinien
Vakuumschleuse
Laserinterferometer zur Endpunkterkennung
Systemsteuerung per Software
Sonstiges
Das System muss den relevanten aktuell gültigen Normen, Zertifizierungen und Standards entsprechen
Der Hersteller soll gute Prozessunterstützung gewährleiten können
Gesetzliche Gewährleistung
Lieferung frei Verwendungsstelle.
Deadline
Die Frist für den Eingang der Angebote war 2017-05-14.
Die Ausschreibung wurde veröffentlicht am 2017-04-13.
Wer?
Wie?
Wo?
Geschichte der Beschaffung
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Dokument |
| 2017-04-13
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Auftragsbekanntmachung
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