Beschaffung einer Ätzanlage

Deutsche Forschungsgemeinschaft e. V., Zentrale Beschaffungsstelle

Inductively Coupled Plasma (ICP) Ätzsystem mit Vakuumschleuse
Beschafft werden soll eine erprobte Anlage, welche u.a. zur Nanostrukturierung von III-V Verbindungshalbleitern geeignet ist.
Die ICP Quelle und ICP Plasmakammer sollen für kleine Wafer bis max. 50 mm Durchmesser optimiert sein.
Die Anlage muss im RIE Mode und im ICP Mode betrieben werden können.
Substrat-Elektrode geeignet für Bruchstücke und bis zu 200 mm Wafer (ohne Umbauten)
Elektrodentemperatur regelbar (-30 bis + 80° C)
Platzbedarf des Systems < = 170 cm x 65 cm
Das Angebot soll umfassen:
Vakuumsystem
Separater Gas Pod für max. 8 MFC-kontrollierte Gaslinien
Vakuumschleuse
Laserinterferometer zur Endpunkterkennung
Systemsteuerung per Software
Sonstiges
Das System muss den relevanten aktuell gültigen Normen, Zertifizierungen und Standards entsprechen
Der Hersteller soll gute Prozessunterstützung gewährleiten können
Gesetzliche Gewährleistung
Lieferung frei Verwendungsstelle.

Deadline

Die Frist für den Eingang der Angebote war 2017-05-14. Die Ausschreibung wurde veröffentlicht am 2017-04-13.

Wer? Wie? Wo?
Geschichte der Beschaffung
Datum Dokument
2017-04-13 Auftragsbekanntmachung
Auftragsbekanntmachung (2017-04-13)
Objekt
Umfang der Beschaffung
Titel: Industrielle Maschinen
Referenznummer: STA 1426/2-1 (A 739)
Kurze Beschreibung:
Inductively Coupled Plasma (ICP) Ätzsystem mit Vakuumschleuse Beschafft werden soll eine erprobte Anlage, welche u.a. zur Nanostrukturierung von III-V Verbindungshalbleitern geeignet ist. Die ICP Quelle und ICP Plasmakammer sollen für kleine Wafer bis max. 50 mm Durchmesser optimiert sein. Die Anlage muss im RIE Mode und im ICP Mode betrieben werden können. Substrat-Elektrode geeignet für Bruchstücke und bis zu 200 mm Wafer (ohne Umbauten) Elektrodentemperatur regelbar (-30 bis + 80° C) Platzbedarf des Systems < = 170 cm x 65 cm Das Angebot soll umfassen: Vakuumsystem Separater Gas Pod für max. 8 MFC-kontrollierte Gaslinien Vakuumschleuse Laserinterferometer zur Endpunkterkennung Systemsteuerung per Software Sonstiges Das System muss den relevanten aktuell gültigen Normen, Zertifizierungen und Standards entsprechen Der Hersteller soll gute Prozessunterstützung gewährleiten können Gesetzliche Gewährleistung Lieferung frei Verwendungsstelle.
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Metadaten der Bekanntmachung
Originalsprache: Deutsch 🗣️
Dokumenttyp: Auftragsbekanntmachung
Art des Auftrags: Lieferungen
Verordnung: Europäische Union
Gemeinsames Vokabular für öffentliche Aufträge (CPV)
Code: Industrielle Maschinen 📦
Ort der Leistung
NUTS-Region: Jena, Kreisfreie Stadt 🏙️

Verfahren
Verfahrensart: Verhandlungsverfahren
Angebotsart: Angebot für alle Lose
Vergabekriterien
Wirtschaftlichstes Angebot

Öffentlicher Auftraggeber
Identität
Land: Deutschland 🇩🇪
Art des öffentlichen Auftraggebers: Sonstiges
Name des öffentlichen Auftraggebers: Deutsche Forschungsgemeinschaft e. V., Zentrale Beschaffungsstelle
Postanschrift: Kennedyallee 40
Postleitzahl: 53175
Postort: Bonn
Kontakt
Internetadresse: http://www.dfg.de 🌏
E-Mail: boris.licker@dfg.de 📧
Telefon: +49 2288852105 📞
Fax: +49 2288853676 📠
URL der Dokumente: http://www.dfg.de/foerderung/programme/infrastruktur/wgi/zentrale_beschaffungsstelle/index.html 🌏

Referenz
Daten
Absendedatum: 2017-04-13 📅
Einreichungsfrist: 2017-05-14 📅
Veröffentlichungsdatum: 2017-04-15 📅
Kennungen
Bekanntmachungsnummer: 2017/S 075-144794
ABl. S-Ausgabe: 75
Zusätzliche Informationen
Es handelt sich um einen einmaligen Lieferauftrag OHNE Laufzeiten, das Formular erfordert in diesem Feld jedoch eine Eingabe.

Objekt
Umfang der Beschaffung
Kurze Beschreibung:
Inductively Coupled Plasma (ICP) Ätzsystem mit Vakuumschleuse
Beschafft werden soll eine erprobte Anlage, welche u.a. zur Nanostrukturierung von III-V Verbindungshalbleitern geeignet ist.
Die ICP Quelle und ICP Plasmakammer sollen für kleine Wafer bis max. 50 mm Durchmesser optimiert sein.
Die Anlage muss im RIE Mode und im ICP Mode betrieben werden können.
Substrat-Elektrode geeignet für Bruchstücke und bis zu 200 mm Wafer (ohne Umbauten)
Elektrodentemperatur regelbar (-30 bis + 80° C)
Platzbedarf des Systems < = 170 cm x 65 cm
Das Angebot soll umfassen:
Vakuumsystem
Separater Gas Pod für max. 8 MFC-kontrollierte Gaslinien
Vakuumschleuse
Laserinterferometer zur Endpunkterkennung
Systemsteuerung per Software
Sonstiges
Das System muss den relevanten aktuell gültigen Normen, Zertifizierungen und Standards entsprechen
Der Hersteller soll gute Prozessunterstützung gewährleiten können
Gesetzliche Gewährleistung
Lieferung frei Verwendungsstelle.
Beschafft werden soll eine erprobte Anlage, welche u. a. zur Nanostrukturierung von III-V Verbindungshalbleitern geeignet ist
Prozesskammer
Aluminiumkammer aus einem vollen Al-Block gefräst
Pumpen Flansch > = 200 mm für sehr hohes effektives Saugvermögen
> = 40 mm Flansch mit Sichtfenster + zusätzlicher seitlicher Port.
Systemdesign inkl. Plasmaquelle und Pumpsystem voll radialsymmetrisch, um beste Gleichmäßigkeit über einen großen Parameterbereich zu gewährleisten.
ICP-Plasmakammer Innendurchmesser 50-80 mm.
Elektrische Kammerheizung bis mind. 80°C
Substrat-Elektrode
> = 200 mm, geeignet für Bruchstücke und bis zu 200 mm Wafer
Helium-Rückseiten-Kühlung (softwaregesteuert) mit mechanischer Klemmung
Klemmvorrichtung für Wafer (2“) inklusive
Elektrodentemperatur regelbar (softwaregesteuert) im Bereich -30 bis + 80° C
Max. Substrat-Dicke: bis zu 10 mm incl. Carrier
Das Prozessieren von Substraten bis 200 mm Durchmesser und Bruchstücken muss ohne Umbauten möglich sein.
Plasmaquellen
Leistung 300 W, 13,56 MHz
Aluminium-Dunkelraumschild auf Massepotential
ICP Quelle optimiert für kleine Wafer bis max. 50 mm Durchmesser
ICP-Typ: helical
ohne kapazitive Komponente d.h. mit (entfernbarer) elektrostatischer Abschirmung
ICP-Keramik: Aluminiumoxid
Die Anlage muss ohne mechanische Änderungen im RIE Mode und im ICP Mode betrieben werden können.
Leistung > = 600 W (13.56 MHz)
Beide Einheiten zur automatischen Hochfrequenzabstimmung (AMU) müssen über zwei mit Schrittmotoren gesteuerte Vakuumkapazitäten verfügen.
Reflektierte Leistung < 2 % der Vorwärtsleistung
Beide AMUs müssen direkt an die ICP Quelle bzw. Substratelektrode gekoppelt sein.
Turbomolekular- Pumpe geeigneter Bauart
Elektrische Heizung des Pumpstutzens
Bitte als Option anbieten: Trockenläuferpumpe geeigneter Bauart (Reaktivgasbeständig mit N2-Spülung) und Saugleistung
5 MFC-gesteuerte Gasleitungen, davon 2 mit Bypass und intern metallgedichteten MFC, eine davon elektrisch beheizt
Gaslinien innen und außen elektropoliert und orbitalgeschweißt, Verschraubungen nur VCR
Vakuumschleuse mit kleinem Volumen < 6 Liter
Außenabmessungen lateral max. 30 cm x 50 cm
Großes oberes Sichtfenster (mind. 200 mm Durchmesser)
Interchamber Ventil VAT MonoVAT
Turbo mit mind. 70 l/s Saugleistung
Eigene Trockenpumpe mit >= 15 m
Pirani- und Penning-Röhren zur Vakuummessung
Laserinterferometer
Laserinterferometer (675 nm Wellenlänge, vollständig in die Systemsteuerung und Datalogging integriert, Endpunkterkennung mittels Intensität und 1. Ableitung, manueller x/y Tisch (Fahrbereich 10 mm in x und 10 mm in y Richtung), integrierte Kamera)
Systemsteuerung
Die komplette Anlage soll von einem PC (Bevorzugtes Betriebssystem: Windows 10) gesteuert werden
MESC
Das System muss den MESC-Standard erfüllen.
Die Anlage sollte dem 200 mm SEMI-MESC-Standard entsprechen.
Sicherheit, CE
Das System muss die aktuell gültige CE-Norm erfüllen, insbesondere
EN13849
Maschinenrichtlinie – 2006/42/EG
Niederspannungsrichtlinie – 2006/95/EG
EMV-Richtlinie 2004/108/EG
Umwelt
Nachweis von Maßnahmen zur Umweltverträglichkeit, z B die ISO 14001:2004 Zertifizierung
Abmessungen
(ohne Vorpumpen, PC, heater/ chiller, Gas Pod)
Besuch eines Prozessspezialisten (mind. 3 Tage vor Ort) zum Prozessnachweis und Training
Service vor Ort
12 Monate Gewährleistung Lieferung frei Verwendungsstelle.
Dauer: 3 Monate
Zusätzliche Informationen:
Es handelt sich um einen einmaligen Lieferauftrag OHNE Laufzeiten, das Formular erfordert in diesem Feld jedoch eine Eingabe.
Ort der Leistung
Hauptstandort oder Erfüllungsort: Universität Jena.

Rechtliche, wirtschaftliche, finanzielle und technische Informationen
Auftragsausführung
Bedingungen für die Vertragserfüllung:
Anazahlungen bis zur Höhe von max. 50 % des Kaufpreises werden nur gegen unbefristete Bankbürgschaft nach deutschem Recht geleistet.

Verfahren
Datum der Absendung der Aufforderungen: 2017-05-26 📅
Sprachen, in denen Angebote oder Teilnahmeanträge eingereicht werden können: Deutsch 🗣️
Vergabekriterien
Qualitätskriterium (Bezeichnung): Technischer Wert
Qualitätskriterium (Gewichtung): 50
Gewichtung des Preises: 50

Öffentlicher Auftraggeber
Identität
Andere Art des öffentlichen Auftraggebers: e.V.
Kontakt
Kontaktperson: Deutsche Forschungsgemeinschaft
Internetadresse: www.dfg.de 🌏
Dokumente URL: http://www.dfg.de/foerderung/programme/infrastruktur/wgi/zentrale_beschaffungsstelle/index.html 🌏

Referenz
Zusätzliche Informationen
Das Aktenzeichen entsprechend Ziff.. II.1.1) ist bei sämtlicher Korrespondenz anzugeben.
Die vollständigen Unterlagen für den Teilnahmewettbewerb sind hier veröffentlicht.
Weitergehende Auftragsunterlagen werden mit der Angebotsaufforderung nach dem Schlusstermin für Teilnahmeanträge versendet.
Beim Schlusstermin laut Ziff. IV.2.2) handelt es sich um den Schlusstermin für den Eingang der Teilnahmeanträge (nicht für den Eingang der Angebote). Vor Ablauf des Schlusstermins gemäß Ziff. IV.2.2) werden keine Verdingungsunterlagen versendet.

Ergänzende Informationen
Körper überprüfen
Name: Vergabekammer des Bundes
Postanschrift: Villemomber Straße 76
Postort: Bonn
Postleitzahl: 53123
Land: Deutschland 🇩🇪
Informationen zu Fristen für Nachprüfungsverfahren:
Das GWB (Gesetz gegen Wettbewerbsbeschränkungen) verpflichtet uns, Sie zu gegebener Zeit über die beabsichtigte Auftragsvergabe zu informieren. Hiergegen haben Sie die Möglichkeit, innerhalb einer festgelegten Frist vor der Vergabekammer des Bundes, zu klagen. Im Falle einer fristgerechten Klage erbitten wir eine entsprechende Information.
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Quelle: OJS 2017/S 075-144794 (2017-04-13)
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