Bonder
Zur Umsetzung einer IGBT (insulated gate bipolar technology) auf SiC Substraten ist das Abschleifen des n-Substrates bis zur p-Epitaxie unabdingbar. Dazu muss die fertig prozessierte Vorderseite der SiC Scheibe auf einen Substrathalter temporär gebondet werden. Anschließend muss die Scheibe geschliffen und poliert und dann auf der Rückseite weiter prozessiert werden. Zuletzt muss die Scheibe dann wieder vom Substrathalter entfernt werden. Dazu werden folgende Anlagen benötigt:
1. Beschichter zum Aufbringen der Trenn- und Klebeschicht, 2. Heizstation zum Ausbacken / Härten der Schichten, 3. Maschine zum temporären Bonden der SiC Scheibe auf einen Substrathalter. Die Anlagen müssen reinraumkompatibel sein und für 100 und 150 mm SiC Wafer (aufrüstbar auf 200 mm) geeignet sein. CE Kennzeichnung.
Deadline
Die Frist für den Eingang der Angebote war 2017-08-16.
Die Ausschreibung wurde veröffentlicht am 2017-08-01.
Wer?
Wie?
Wo?
Geschichte der Beschaffung
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Dokument |
| 2017-08-01
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Auftragsbekanntmachung
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| 2017-09-13
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Bekanntmachung über vergebene Aufträge
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