Hoch-Vakuum Bonder
Hoch-Vakuum Bonder
Allgemeine Informationen:
— Automatischer Hoch-Vakuum Bonder für folgende Anwendungen
o Metallbonden für elektrische Verbindung von 200 mm SiGe BiCMOS Wafer
o Direktes Bonden von Si-zu Si bzw. Si zu III-V Halbleiter Wafer für Layer Transfer
o MEMS Packaging unter Hochvakuum (z.B. für Bolometer)
— Bonden von 200 mm Wafern des IHP mit hochgenauem Alignment beim Bondprozess
— Für Metallbonden Realisierung elektrisch-leitfähiger Verbindungen mittels Thermokompressionsbonden basierend auf Al-Al Bonden
— Möglichkeit für funktionale Erweiterung des Tools für zukünftigen Forschungsaktivitäten des IHP (mindestens 1 freier Platz für weitere Prozesskammer ).
Deadline
Die Frist für den Eingang der Angebote war 2017-11-28.
Die Ausschreibung wurde veröffentlicht am 2017-10-27.
Wer?
Wie?
Wo?
Geschichte der Beschaffung
| Datum |
Dokument |
| 2017-10-27
|
Auftragsbekanntmachung
|