ICP-RIE-Plasmaätzanlage
Auftragsgegenstand ist eine ICP-RIE-Plasmaätzanlage für proportionales und binäres Plasmaätzen in dielektrische, halbleitende und metallische Materialien und Funktionsschichten (Quarzglas /fused silica, Silizium, SiOxNy, Siliziumkarbid, hochbrechende Materialien, wie Ta2O5, Nb2O5, etc.) mittels fluorbasierter Reaktivgasprozesse.
Die Anlage mit Beladeschleuse (Loadlock, LL) muss das Prozessieren variabler Substratgrößen mittels Carrier ohne großen Bearbeitungs und Zeitaufwand ermöglichen.
Deadline
Die Frist für den Eingang der Angebote war 2017-11-13.
Die Ausschreibung wurde veröffentlicht am 2017-10-12.
Wer?
Wie?
Wo?
Geschichte der Beschaffung
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Dokument |
| 2017-10-12
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Auftragsbekanntmachung
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| 2017-11-16
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Bekanntmachung über vergebene Aufträge
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