Laser Anneal System for metal contact sintering on silicon carbide

Fraunhofer Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e. V. über Vergabeportal deutsche eVergabe

Laser Anneal System zur Bildung Ohm'scher Kontakte durch die Metallsinterung auf der Rückseite (C-Seite) der SiC Wafer und für Dotiermittelaktivierung von implantierten Ionen in der Rückseite; Annealing nur auf der Rückseite, keine signifikante Temperaturerhöhung auf der Vorderseite, insbesondere für gedünnte Wafer mit einer Dicke im Bereich von unter 100 µm; Reinraumkompatibel (Reinraumklasse 100); Manuelles Handling von 4'' und 6'' Wafern (optional 8''); UV-Laser (355 nm) mit einer Ausgangsleistung im Bereich von 7-10 W; Pulsweite <60 ns; Galvano Scanner; Computergesteuert: Überwachung von Laserleistung, Strahlprofil, energy at wafer, pulse shape; Prozessatmosphäre N2 oder Ar; kleine Grundfläche, CE Zertifizierung; Vor-Ort-Training.

Deadline
Die Frist für den Eingang der Angebote war 2017-06-26. Die Ausschreibung wurde veröffentlicht am 2017-06-08.

Wer?

• • Fraunhofer Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e. V. über Vergabeportal deutsche eVergabe

Wie?

• • Maschinen für allgemeine und besondere Zwecke › Diverse Maschinen und Geräte für besondere Zwecke

Wo?

• • Oberbayern › München, Kreisfreie Stadt
• • Mittelfranken › Erlangen, Kreisfreie Stadt