Maskenloses Laser Lithografie System
Maskenloses Laser Lithografie System
Das System dient der Durchführung maskenloser optischer Lithografieprozesse mittels Laser Direktbelichtung auf unterschiedlichen Substratmaterialien (SiC, GaAs, GaSb, Diamant). Die Substratgröße variiert zwischen 3 x 3 mm² und 100 mm. Die Belichtung erfolgt auf üblichen I-Line Fotolacken mit einem Empfindlichkeitsbereich von 365 405 nm Wellenlänge. Ein Autofokussystem gleicht die Substratkrümmung durch Nachführung des Fokuspunktes aus. Wegen der relativ langen Schreibzeiten soll das automatische Belichten von mindestens vier 100 mm Wafern möglich sein. Die Belichtungslayouts liegen im GDSII Format vor. Die Aufstellung der Anlage erfolgt in einem Reinraum der ISO Klasse 5.
Deadline
Die Frist für den Eingang der Angebote war 2017-07-27.
Die Ausschreibung wurde veröffentlicht am 2017-07-12.
Wer?
Wie?
Wo?
Geschichte der Beschaffung
Datum |
Dokument |
2017-07-12
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Auftragsbekanntmachung
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