Kurze Beschreibung
Gesucht wird ein System, welches Messungen des spezifischen Widerstandes und des Halleffekts an Hallbarstrukturen mit Abmessungen von 500μm × 200μm auf Wafern mit Durchmesser bis 2 Zoll in einem Temperaturbereich von 10 K bis 350 K automatisiert durchführen kann. Zudem soll es möglich sein, eine elektrische Spannung an eine optional auf den Hallbarstrukturen aufgebrachte Steuerelektrode anzulegen, um die Ladungsträgeranzahl in der Hallbarstruktur extern zu steuern.