Multibeamanlage FIB-SEM
Im Rahmen der Beschaffung soll eine Focused Ion Beam (FIB-SEM) / Multibeamanlage ausgewählt werden. Mit dieser Anlage soll es möglich sein, Halbleiterproben und Wafer bis zu 6“ einzubringen und mindestens 4“ dieser Fläche anfahren zu können. An einer exakt definierten Position, die vor Einbringung des Substrates anhand eines Lichtmikroskops bestimmt wird und an die Multibeamanlage übertragen werden kann, sollen mittels eines Ionenstrahls Schnitte durchgeführt werden können und idealerweise simultan die Schnittoberfläche hochauflösend betrachtet werden.
Folgende Detektoren soll die Anlage aufweisen: Sekundärelektronendetektor, Rückstreuelektronen-detektor, Sekundär-Rückstreuelektronendetektor, EDX Detektor mit großem Raumwinkel für niedrige Beschleunigungsspannungen und einen SIMS Detektor.
Die Anlage soll außerdem über eine Schleuse, eine Chargecompensation und einen Plasmacleaner verfügen.
Fortsetzung in II.2.4).
Deadline
Die Frist für den Eingang der Angebote war 2017-07-06.
Die Ausschreibung wurde veröffentlicht am 2017-06-06.
Anbieter
Die folgenden Lieferanten werden in Vergabeentscheidungen oder anderen Beschaffungsunterlagen erwähnt:
Wer?
Wie?
Wo?
Geschichte der Beschaffung
Datum |
Dokument |
2017-06-06
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Auftragsbekanntmachung
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2017-10-12
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Bekanntmachung über vergebene Aufträge
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