Im Rahmen der Beschaffung soll eine Focused Ion Beam (FIB-SEM) / Multibeamanlage ausgewählt werden. Mit dieser Anlage soll es möglich sein, Halbleiterproben und Wafer bis zu 6“ einzubringen und mindestens 4“ dieser Fläche anfahren zu können. An einer exakt definierten Position, die vor Einbringung des Substrates anhand eines Lichtmikroskops bestimmt wird und an die Multibeamanlage übertragen werden kann, sollen mittels eines Ionenstrahls Schnitte durchgeführt werden können und idealerweise simultan die Schnittoberfläche hochauflösend betrachtet werden. Folgende Detektoren soll die Anlage aufweisen: Sekundärelektronendetektor, Rückstreuelektronen-detektor, Sekundär-Rückstreuelektronendetektor, EDX Detektor mit großem Raumwinkel für niedrige Beschleunigungsspannungen und einen SIMS Detektor. Die Anlage soll außerdem über eine Schleuse, eine Chargecompensation und einen Plasmacleaner verfügen. Fortsetzung in II.2.4).
Deadline
Die Frist für den Eingang der Angebote war 2017-07-06.
Die Ausschreibung wurde veröffentlicht am 2017-06-06.
Anbieter
Die folgenden Lieferanten werden in Vergabeentscheidungen oder anderen Beschaffungsunterlagen erwähnt:
Auftragsbekanntmachung (2017-06-06) Objekt Umfang der Beschaffung
Titel: Diverse Maschinen und Geräte für besondere Zwecke
Referenznummer: E_124_224170 cl-ort FMD
Kurze Beschreibung:
Im Rahmen der Beschaffung soll eine Focused Ion Beam (FIB-SEM) / Multibeamanlage ausgewählt werden. Mit dieser Anlage soll es möglich sein, Halbleiterproben und Wafer bis zu 6“ einzubringen und mindestens 4“ dieser Fläche anfahren zu können. An einer exakt definierten Position, die vor Einbringung des Substrates anhand eines Lichtmikroskops bestimmt wird und an die Multibeamanlage übertragen werden kann, sollen mittels eines Ionenstrahls Schnitte durchgeführt werden können und idealerweise simultan die Schnittoberfläche hochauflösend betrachtet werden.
Folgende Detektoren soll die Anlage aufweisen: Sekundärelektronendetektor, Rückstreuelektronen-detektor, Sekundär-Rückstreuelektronendetektor, EDX Detektor mit großem Raumwinkel für niedrige Beschleunigungsspannungen und einen SIMS Detektor.
Die Anlage soll außerdem über eine Schleuse, eine Chargecompensation und einen Plasmacleaner verfügen.
Fortsetzung in II.2.4).
Im Rahmen der Beschaffung soll eine Focused Ion Beam (FIB-SEM) / Multibeamanlage ausgewählt werden. Mit dieser Anlage soll es möglich sein, Halbleiterproben und Wafer bis zu 6“ einzubringen und mindestens 4“ dieser Fläche anfahren zu können. An einer exakt definierten Position, die vor Einbringung des Substrates anhand eines Lichtmikroskops bestimmt wird und an die Multibeamanlage übertragen werden kann, sollen mittels eines Ionenstrahls Schnitte durchgeführt werden können und idealerweise simultan die Schnittoberfläche hochauflösend betrachtet werden.
Folgende Detektoren soll die Anlage aufweisen: Sekundärelektronendetektor, Rückstreuelektronen-detektor, Sekundär-Rückstreuelektronendetektor, EDX Detektor mit großem Raumwinkel für niedrige Beschleunigungsspannungen und einen SIMS Detektor.
Die Anlage soll außerdem über eine Schleuse, eine Chargecompensation und einen Plasmacleaner verfügen.
Fortsetzung in II.2.4).
Metadaten der Bekanntmachung
Originalsprache: Deutsch 🗣️
Dokumenttyp: Auftragsbekanntmachung
Art des Auftrags: Lieferungen
Verordnung: Europäische Union, mit GPA-Beteiligung
Gemeinsames Vokabular für öffentliche Aufträge (CPV)
Code: Diverse Maschinen und Geräte für besondere Zwecke📦 Ort der Leistung
NUTS-Region: Berlin
🏙️
Verfahren
Verfahrensart: Verhandlungsverfahren
Angebotsart: Angebot für alle Lose
Vergabekriterien
Wirtschaftlichstes Angebot
Öffentlicher Auftraggeber Identität
Land: Deutschland 🇩🇪
Art des öffentlichen Auftraggebers: Sonstiges
Name des öffentlichen Auftraggebers: Fraunhofer Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e. V. über Vergabeportal deutsche eVergabe
Postanschrift: Hansastr. 27c
Postleitzahl: 80686
Postort: München
Kontakt
Internetadresse: http://www.fraunhofer.de🌏
E-Mail: fraunhofer@deutsche-evergabe.de📧
URL der Dokumente: http://www.deutsche-evergabe.de🌏
URL der Teilnahme: http://www.deutsche-evergabe.de🌏
— Anforderung Unterlagen – erhältlich bei: Die Vergabeunterlagen können ausschließlich über das Vergabeportal der deutschen e-Vergabe unter www.deutsche-evergabe.de abgerufen werden. – Bewerber unterliegen mit der Angebotsabgabe auch den Bestimmungen über nicht berücksichtigte Angebote (§134 GWB) – Fragen oder Hinweise der Bieter können nur in deutscher Sprache und ausschließlich per E-Mail an die unter Ziffer I.1 genannte Kontaktstelle gerichtet werden. Soweit relevant, werden Antworten auf Fragen oder Hinweise der Bieter auch an alle anderen Bieter versandt.
— Anforderung Unterlagen – erhältlich bei: Die Vergabeunterlagen können ausschließlich über das Vergabeportal der deutschen e-Vergabe unter www.deutsche-evergabe.de abgerufen werden. – Bewerber unterliegen mit der Angebotsabgabe auch den Bestimmungen über nicht berücksichtigte Angebote (§134 GWB) – Fragen oder Hinweise der Bieter können nur in deutscher Sprache und ausschließlich per E-Mail an die unter Ziffer I.1 genannte Kontaktstelle gerichtet werden. Soweit relevant, werden Antworten auf Fragen oder Hinweise der Bieter auch an alle anderen Bieter versandt.
Objekt Umfang der Beschaffung
Kurze Beschreibung:
Im Rahmen der Beschaffung soll eine Focused Ion Beam (FIB-SEM) / Multibeamanlage ausgewählt werden. Mit dieser Anlage soll es möglich sein, Halbleiterproben und Wafer bis zu 6“ einzubringen und mindestens 4“ dieser Fläche anfahren zu können. An einer exakt definierten Position, die vor Einbringung des Substrates anhand eines Lichtmikroskops bestimmt wird und an die Multibeamanlage übertragen werden kann, sollen mittels eines Ionenstrahls Schnitte durchgeführt werden können und idealerweise simultan die Schnittoberfläche hochauflösend betrachtet werden.
Im Rahmen der Beschaffung soll eine Focused Ion Beam (FIB-SEM) / Multibeamanlage ausgewählt werden. Mit dieser Anlage soll es möglich sein, Halbleiterproben und Wafer bis zu 6“ einzubringen und mindestens 4“ dieser Fläche anfahren zu können. An einer exakt definierten Position, die vor Einbringung des Substrates anhand eines Lichtmikroskops bestimmt wird und an die Multibeamanlage übertragen werden kann, sollen mittels eines Ionenstrahls Schnitte durchgeführt werden können und idealerweise simultan die Schnittoberfläche hochauflösend betrachtet werden.
Folgende Detektoren soll die Anlage aufweisen: Sekundärelektronendetektor, Rückstreuelektronen-detektor, Sekundär-Rückstreuelektronendetektor, EDX Detektor mit großem Raumwinkel für niedrige Beschleunigungsspannungen und einen SIMS Detektor.
Die Anlage soll außerdem über eine Schleuse, eine Chargecompensation und einen Plasmacleaner verfügen.
Fortsetzung in II.2.4).
ZuII.1.4)
Die Auswertung der gewonnenen Daten soll unter Unterstützung von Drift Korrektur und allen notwendigen Materialtabellen auch in 3D und Offline möglich sein.
Dauer: 5 Monate
Beschreibung der Optionen:
Optional muss eine aktive Magnetfeld-und Schwingungskompensation angeboten werden. Zusätzliches Zubehör ist optional wünschenswert.
Ort der Leistung
Hauptstandort oder Erfüllungsort: 10587 Berlin.
Rechtliche, wirtschaftliche, finanzielle und technische Informationen Bedingungen für die Teilnahme
Wirtschaftliche und finanzielle Leistungsfähigkeit:
(1) Firmenprofil mit Angabe der Mitarbeiteranzahl,
(2) Angaben zum Umsatz der letzten 3 Geschäftsjahre,
(3) Eigenerklärung über das ordnungsgemäße. Abführen von Steuern und Abgaben sowie der Beiträge zur gesetzlichen Sozialversicherung,
(4) Eigenerklärung, dass weder ein Insolvenzverfahren in Eröffnung ist, eröffnet wurde oder mangels Masse abgelehnt wurde noch das sich das Unternehmen in Liquidation befindet,
(5) Eigenerklärung, dass nachweislich keine schweren Verfehlungen begangen wurden, die die Zuverlässigkeit als Bewerber in Frage stellen,
(6) Auszug aus dem Gewerbezentralregister gemäß § 150a GewO (wird durch den Auftraggeber angefordert).
Technische und berufliche Fähigkeiten:
(7) Komplette Referenzen (Kontaktdaten) von vergleichbaren Systemen, die die Erfahrung im Umgang mit Halbleitermaterialien, vorzugsweise III/V-Halbleitern und im Installieren von Anlagen unter Reinraumbedingungen nachweisen.
Auftragsausführung
Bedingungen für die Vertragserfüllung:
Bei evtl. Einsatz von Nachunternehmern sind diese zu benennen, ihre Eignung ist ebenfalls anhand der unter III.1.) aufgeführten Eignungskriterien nachzuweisen Ferner ist zu bestätigen, dass sie im Auftragsfall zur Verfügung stehen, deren Anteil am Umfang des Auftragsgegenstandes ist darzulegen.
Bei evtl. Einsatz von Nachunternehmern sind diese zu benennen, ihre Eignung ist ebenfalls anhand der unter III.1.) aufgeführten Eignungskriterien nachzuweisen Ferner ist zu bestätigen, dass sie im Auftragsfall zur Verfügung stehen, deren Anteil am Umfang des Auftragsgegenstandes ist darzulegen.
Verfahren
Beschleunigtes Verfahren: Vorveröffentlichung 2017/S 055-101223.
Zeitpunkt des Eingangs der Angebote: 23:59
Sprachen, in denen Angebote oder Teilnahmeanträge eingereicht werden können: Deutsch 🗣️
Englisch 🗣️
Ergänzende Informationen Körper überprüfen
Name: Vergabekammer des Bundes beim Bundeskartellamt
Postanschrift: Villemomblerstraße 76
Postort: Bonn
Postleitzahl: 53123
Land: Deutschland 🇩🇪
Informationen zu Fristen für Nachprüfungsverfahren:
Solange ein wirksamer Zuschlag (Vertragsschluss) noch nicht erteilt ist, kann als Rechtsbehelf ein Nachprüfungsantrag bei der unter VI 4.1 genannten Stelle gestellt werden. Bewerber/Bieter müssen Vergaberechtsverstöße unverzüglich bei der unter I.1) genannten Vergabestelle rügen, bevor sie einen Nachprüfungsantrag stellen. Wir weisen ausdrücklich auf die Antragsfrist des §160 Gesetz gegen Wettbewerbsbeschränkungen (GWB) hin. Bieter, deren Angebote nicht berücksichtigt werden soll, werden vor dem Zuschlag gem. §134 GWB informiert.
Informationen zu Fristen für Nachprüfungsverfahren
Solange ein wirksamer Zuschlag (Vertragsschluss) noch nicht erteilt ist, kann als Rechtsbehelf ein Nachprüfungsantrag bei der unter VI 4.1 genannten Stelle gestellt werden. Bewerber/Bieter müssen Vergaberechtsverstöße unverzüglich bei der unter I.1) genannten Vergabestelle rügen, bevor sie einen Nachprüfungsantrag stellen. Wir weisen ausdrücklich auf die Antragsfrist des §160 Gesetz gegen Wettbewerbsbeschränkungen (GWB) hin. Bieter, deren Angebote nicht berücksichtigt werden soll, werden vor dem Zuschlag gem. §134 GWB informiert.
Dienststelle, bei der Informationen über das Überprüfungsverfahren eingeholt werden können
Name: Fraunhofer Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e. V. über Vergabeportal eVergabe
Postanschrift: Hansastraße 27c
Postort: München
Postleitzahl: 80686
E-Mail: einkauf@zv.fraunhofer.de📧
Internetadresse: http://www.fraunhofer.de🌏
Quelle: OJS 2017/S 109-219106 (2017-06-06)
Bekanntmachung über vergebene Aufträge (2017-10-12) Objekt Umfang der Beschaffung
Gesamtwert des Auftrags: 0.01 EUR 💰
Metadaten der Bekanntmachung
Dokumenttyp: Bekanntmachung über vergebene Aufträge
Objekt Umfang der Beschaffung
Kurze Beschreibung: ZuII.1.4).
Verfahren Vergabekriterien
Qualitätskriterium (Bezeichnung): Technische Ausführung
Qualitätskriterium (Gewichtung): 50
Qualitätskriterium (Bezeichnung): Service
Qualitätskriterium (Gewichtung): 10
Gewichtung des Preises: 40
Auftragsvergabe
Datum des Vertragsabschlusses: 2017-09-14 📅
Ergänzende Informationen Körper überprüfen
Informationen zu Fristen für Nachprüfungsverfahren:
Solange ein wirksamer Zuschlag (Vertragsschluss) noch nicht erteilt ist, kann als Rechtsbehelf ein Nachprüfungsantrag bei der unter VI.4.1 genannten Stelle gestellt werden. Bewerber/Bieter müssen Vergaberechtsverstöße unverzüglich bei der unter I.1) genannten Vergabestelle rügen, bevor sie einen Nachprüfungsantrag stellen. Wir weisen ausdrücklich auf die Antragsfrist des §160 Gesetz gegen Wettbewerbsbeschränkungen (GWB) hin. Bieter, deren Angebote nicht berücksichtigt werden soll, werden vor dem Zuschlag gem. §134 GWB informiert.
Informationen zu Fristen für Nachprüfungsverfahren
Solange ein wirksamer Zuschlag (Vertragsschluss) noch nicht erteilt ist, kann als Rechtsbehelf ein Nachprüfungsantrag bei der unter VI.4.1 genannten Stelle gestellt werden. Bewerber/Bieter müssen Vergaberechtsverstöße unverzüglich bei der unter I.1) genannten Vergabestelle rügen, bevor sie einen Nachprüfungsantrag stellen. Wir weisen ausdrücklich auf die Antragsfrist des §160 Gesetz gegen Wettbewerbsbeschränkungen (GWB) hin. Bieter, deren Angebote nicht berücksichtigt werden soll, werden vor dem Zuschlag gem. §134 GWB informiert.