Multiwafer Molekularstrahlepitaxieanlage für die Epitaxie von Phosphor-Verbindungshalbleiter-Bauelementen
Beschaffung einer Multiwafer Molekularstrahlepitaxieanlage für die Epitaxie von Phosphor-Verbindungshalbleiter-Bauelementen. Diese muss für einen sicheren Betrieb mit Phosphor als Feststoffquelle geeignet sein. Besondere Anforderungen werden – neben der technischen und qualitativen Ausführung – hinsichtlich einer geringen Defektdichte der Epitaxieschichten sowie hinsichtlich der Eignung für das Wachstum von Übergitterstrukturen und das Wachstum von Strukturen bei hohen Temperaturen gestellt.
Deadline
Die Frist für den Eingang der Angebote war 2017-06-12.
Die Ausschreibung wurde veröffentlicht am 2017-05-11.
Anbieter
Die folgenden Lieferanten werden in Vergabeentscheidungen oder anderen Beschaffungsunterlagen erwähnt:
Wer?
Wie?
Wo?
Geschichte der Beschaffung
Datum |
Dokument |
2017-05-11
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Auftragsbekanntmachung
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2017-12-07
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Bekanntmachung über vergebene Aufträge
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