Nassbank für GaN-Reinigungs- und Ätzprozesse von 200 mm-GaN-Wafern

Fraunhofer Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e. V. über Vergabeportal deutsche eVergabe

Nassbank für GaN-Reinigungs- und Ätzprozesse von 200 mm-GaN-Wafern.
Das FhG-ISIT plant die Anschaffung einer neuen oder refurbished nasschemischen Anlage für Reinigungs- und Ätzprozesse an GaN-Wafern als Batch-Spray-Tool. Die Bearbeitung der Wafer soll als 25 Wafer-Batch in einer dry-to-dry-Variante erfolgen. Geplant ist dazu eine 1-Kammeranlage für GaN-Ätzungen oder optional eine 2-Kammer-Anlage mit der zusätzlichen Option einer RCA-Reinigung: Es wird ein Ätzprozess benötigt: Schritt 1: H2O2: H2O (2%ig im Tank vorgemischt) Schritt 2: HCl: H2O (1:1 im Tank vorgemischt) Dieser Ablauf soll zusammenhängend mehrfach pro Batch wiederholt werden (Anzahl der erwarteten Wiederholungen 15-30).

Deadline
Die Frist für den Eingang der Angebote war 2017-08-16. Die Ausschreibung wurde veröffentlicht am 2017-07-26.

Wer?

• • Fraunhofer Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e. V. über Vergabeportal deutsche eVergabe

Wie?

• • Maschinen für allgemeine und besondere Zwecke › Diverse Maschinen und Geräte für besondere Zwecke

Wo?

• • Oberbayern › München, Kreisfreie Stadt