Kurze Beschreibung
Nasschemische Reinigungs- und Ätzbank für dicke und gedünnte SiC-Wafer.
Zur Herstellung von Leistungsbauelemente auf SiC Wafer ist nach fast jedem Fertigungsprozessschritt eine nasschemische Reinigung nötig. Dies geschieht normalerweise in Reinigungsbänken, in denen bis zu 25 Wafer gleichzeitig gereinigt werden können. Nach bestimmten Fertigungsprozessschritten ist es aber besser eine Einzelscheibenreinigung durchzuführen. Dazu wird folgende Anlage benötigt: Einzelwaferanlage für SiC-Scheiben mit 100 und 150mm (aufrüstbar auf 200mm) und für 9" quadratische Substrate zur nasschemischen Reinigung; Chemieversorgung (TMAH und H2SO4) durch Drucktanks, Manuelle Befüllung, CO2 Bubbler, Vorwärmung H2SO4 auf 70°C, Vorwärmung DI-Wasser auf 70°C, automatische Spüllung und Neutralisation der Reinigungskammer, einfacher Chuck-Tausch, Reinraumkompatibilität, Computergesteuert, CE-Kennzeichnung.